（原標題：豪擲333億！三安光電埋伏5G商用前的芯片大棋局）

摘要：三安光電一度給市場留下“高得不像是一家制造業公司”的印象。近日，這家芯片巨頭豪擲333億元投資七大產化項目，這背后究竟有著哪些戰略意義？

中國芯片巨頭三安光電又有新動作，豪擲333億！

這家稱為中國最賺錢的LED芯片企業可謂業內神話，凈利潤率和凈利率均保持高位，一度給市場留下“高得不像是一家制造業公司”的印象。

三安光電這一最新動作背后有著哪些戰略意義？

333億投資劍指5G商機

12月5日晚，三安光電發布公告稱，將在福建泉州芯谷投資333億元建設項目，包括七大產化項目，計劃五年內實現投產，七年內全部項目實現達產。

具體項目包括：1、高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片的研發與制造產業化項目；2、高端砷化鎵LED外延、芯片的研發與制造產業化項目；3、大功率氮化鎵激光器的研發與制造產業化項目；4、光通訊器件的研發與制造產業化項目；5、射頻、濾波器的研發與制造產業化項目；6、功率型半導體（電力電子）的研發與制造產業化項目；7、特種襯底材料研發與制造、特種封裝產品應用研發與制造產業化項目。

華爾街見聞發現，以上七大項目的戰略布局的一大亮點歸納為：踩上5G和物聯網行業風口，擴大高端化合物半導體產能。

換言之，三安光電正從LED芯片生產向化合物半導體芯片領域進軍，三安光電涵蓋了化合物半導體的上游原材料供應與設備制造等環節。業內預計，此次330億的投資達產后年營收約270億元，是當前三安光電營收體量的3倍左右，將進一步擴大公司體量。

據了解，化合物半導體主要是由兩種或兩種以上的元素化合而成的半導體材料，與LED在材料方面具有許多相同點，均有砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等材料，都需要MOCVD機臺進行氣相沉積形成外延片。因此，三安具有戰略轉向的先天優勢。

據華爾街見聞了解，化合物半導體芯片應用主要包括如下領域：4G/5G無線通訊基站、4G/5G智能手機、WiFi與光纖等高速數據傳輸、汽車/工業/太陽能等功率芯片等。

三安光電屬于中國唯一一家有能力批量制造砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）外延和芯片的企業，具有明顯的行業稀缺性。

埋伏在5G商用前的風口

興業證券分析師劉亮認為，“5G是下一個金礦，但機會早在5G之前開啟。”

他指出，2020年為5G技術商用的開啟，但2020年通訊技術主要增長來自于4G滲透率的提升，在2030年前4G滲透逐漸放緩并達到峰值，5G的爆發點或在2020至2025年之間。因此，移動數據量的增加是驅動射頻器件增長的主要動力。

換言之，5G爆發之前，4G滲透率將大幅提高。數據顯示，預計到2020年，中國4G市場將占到整個移動通信市場的60%，用戶數超過10億。在5G商用之前，全球移動數據量的年復合增長率將達57%。

可見，移動運營商從傳統的2G、3G網絡轉換到4G以及更先進的網絡，射頻器件的需求將大增。三安光電此番布局恰恰看重了5G時代的商機。天風證券預計，射頻芯片市場從2015年13億美元擴大到2020年接近30億美元，年復合增長率高達16%。

據華爾街見聞了解，射頻器件是無線通訊設備核心零部件，其中射頻芯片主要負責射頻信號和基帶信號之間的相互轉換。射頻芯片與普通集成電路芯片不同，后者主要原料是硅單晶，受材料特性有限，難以在高頻、高壓、大電流芯片中應用。

射頻芯片主要以化合物半導體材料為主，包括氮化鎵（GaN）芯片和砷化鎵（GaAs）芯片，這即是三安光電330億投資項目的重點。

據悉，據悉，氮化鎵（GaN）項目應用場景可包括：軍事通訊、電子干擾雷達等軍工領域，還包括5G通訊基站和功率器件領域。據預測，2016年-2020年，GaN器件數量將以80％的年均復合增長率增長。

而砷化鎵（GaAs）項目應用場景可包括：商業無線通信、光通訊，比如手機消費類電子射頻前端應用，特別是手機在GaAs器件市場中占比達四成。據悉，到2018年，全球和中國光纖通信市場產值規模將分別達到440億美元和1000億元。

數據顯示，化合物半導體增速遠高于半導體整體增速，到2020年，化合物半導體市場將增大至440億美元，復合增長率為12.9%，是整個半導體市場增速6.5%的兩倍。

其中，當前GaAs在化合物射頻組件占比94%，但GaN射頻器件更具爆發力。據Yole Development數據，2010年全球GaN射頻器件市場規模僅為6300萬美元，2015年增長到2.98億美元，2019年5G將推動行業快速增長，預計2020年將達到約6.2億美元。

國家大資金背書

從三安光電的十大股東信息中可看出，股東實力雄厚，不僅有中證金、中央匯金，還有新華人壽、新華人壽兩大險資。

另據華爾街見聞了解，截至今年三季度末，持有三安光電的公募基金產品有199只，券商集合理財產品12只。截至二季度末時，更有高達507只公募產品持有三安光電。

值得注意的是，國家集成電路產業投資基金（簡稱“大基金”）是該公司第二大股東。據了解，2015年6月，大基金投資資48.39億元入股三安光電），隨后通過隨定增中，大基金持股比例增加到11.30%。

當時大基金入股的同時，三安光電與國開行、華芯投資成立規模為25億美金的III—V族化合物集成電路發展專項基金,另外國開行以最優惠利率提供200億元人民幣融資總量，用于支持三安集團及三安光電的業務發展。（據悉，國開行是大基金的托管行，華芯投資是大基金LP之一。）

實際上，這背后與國家的戰略息息相關，由于中國國產化合物半導體器件的能力較弱， 90%射頻前端來自海外進口，導致成本昂貴。可以看出，大基金的入股就是為三安光電加快化合物半導體國產化“埋下伏筆”。

興業證券分析師劉亮曾指出，LED時代，三安光電僅用了三年達到了競爭對手臺灣晶電的同等水平，預計GaAs業務有望迅速追上臺灣競爭對手，未來甚至憑借GaAs業務再造一個三安體量。此外，三安光電的合物半導體已經有多家客戶參與試樣驗證，部分芯片已通過性能驗證，并開始少量出貨。

巨額投資背后：凈利率和毛利率“神話”

三安光電投資333億加碼化合物半導體之前，早已是中國LED芯片的龍頭。

數據顯示，2013年以來，芯片和LED產品占總營收的比例均在85%以上，其中，2016年芯片、LED產品營收56.12億元，占總營收接近90%。

10月底，三安光電發布了“靚麗”的三季報：公司今年前三個實現營收63億元，同比增長40%，凈利潤24億元，同比增幅達59%。其中，三季度單季凈利潤8.6億元，同比增速高達63%。

數據顯示，自2013年起，至今公司芯片、LED產品占總營收的比例均在85%以上。2016年公司總營收62.73億元，其中芯片、LED產品營收56.12億元，占總營收的89.46%。

實際上，三安光電的高毛利率和高凈利率可謂業內神話，更超過了國際巨頭，從2012年至今一直保持穩定。今年上半年，公司的綜合毛利率創下半年度新紀錄，達到了48.26%。

導致三安光電高毛利率重要因素是高議價權，三安光電的銷售單價是遠高于競爭對手。

對于三安芯片高溢價的形成原因，太平洋證券給出如下分析：

1、三安的芯片品質普遍高于其他國產芯片。例如同樣的2寸片，三安的總光通量高于其他芯片廠商，使得價格可以定得更高。

2、三安具有強大行業定價權，目前其芯片市場份額已接近30%，足夠具有定價權。

3、下游巨頭木林森變相助力，雖然木林森很少購買三安芯片，但因此木林森幾乎將國內二三線芯片廠的芯片產能全部包圓，其他封裝廠只能向三安購買芯片，三安形成實質上的壟斷地位，可以通過壟斷定價來獲得高于其他芯片廠的價格。

實際上，研發壁壘的形成也有利于高毛利率的形成，這可直接使得三安享受更高的議價權。具體來說，相較于華燦光電、澳洋順昌、乾照光電等競爭對手，2015年以來，三安光電研發人數不斷增多，員工數占行業最高。此外，三安的研發費用也不斷，且占比營收較競爭對手穩定。

申萬宏源分析師劉洋指出，研發優勢具體可以表現在對外延片的生產過程中的多項過程調整：原材料添加的時間、配比的方案以及生產的溫度等參數均能影響外延片的生命周期和產品質量。