2007年5月29日，加州大學圣地亞哥分校(UCSD)分離公司Quanlight稱其新材料技術將提高紅光LED的亮度和波長穩定性、降低成本，公司剛在風險投資中[由Blackbird Ventures 和(SHW)2主持，Blackbird的執行總裁成為Quanlight的CEO]獲得300萬美元的資金，這些錢足以將這一新技術由研發階段轉化為初始晶片生產。

　　Quanlight的技術基于一個摻有百分之幾氮的InGaNP材料系統，是通過在GaP襯底上進行假晶生長制得的，這一生長方式無需晶片鍵合。假晶生長意味著GaP和InGaNP之間存在著很小的晶格失配，但不足以在外延片中產生引起麻煩的應力。

　　InGaNP的內在特性要優于被廣泛用于紅、黃、橙光LED的AlInGaP材料，這些特性包括更大的價帶偏移，并由此使器件擁有更好的波長穩定性，在高電流密度及/或高溫下亮度更高。

　　摻氮方法之前也曾用于商業應用，特別是光纖通信中的長波長激光器，但成功程度有限。Quanlight的方法卻與之有所不同：MOCVD法生長的InGaNAs材料中銦含量高達40%，用以激發激光器發出1.3µm的光。這導致了外延層中應力很大，從而縮短了器件壽命，降低了穩定性。而InGaNP中銦的濃度要低得多，避免了上述問題。

　　在國際權威物理學期刊《Applied Physics Letters》上，Quanlight對MBE法InGaNP外延生長及隨后的LED芯片制備進行了描述。但為了實現LED的商業化生產，Quanlight正將這一外延生長工藝轉接到MOCVD平臺上，并使用3英寸GaP襯底。 Quanlight稱目前所有技術上的里程碑均已達到，轉化過程進展順利，芯片的最優化則正在進行中。

　　Quanlight公司正在使用的，是用傳統LEC(液封直拉法)生產的GaP材料。公司與襯底制造商PVA Tepla的合作將有望使用VGF(垂直梯度冷凝，Vertical Gradient Freeze)工藝生產出缺陷密度更低的晶體。

　　在融資的幫助下，Quanlight希望今年底完成對紅光LED的開發，其生產定于08年初。公司可能會進行技術授權或外包生產，并無超越外延業務的意圖。（編輯：PCL）