2007年6月7日，與中、美、韓、日政府相比，英國政府對基于LED的固態照明燈具在節能方面的潛力的認知相對較慢，但其現在似乎已經有所行動，支持由Filtronic、Qinetiq 和劍橋大學組成團隊基于6英寸硅襯底開發GaN發射器，來實現低成本芯片的制備。英國貿易工業部(DTI)已向這一團隊授予了一份300萬英磅(596萬美元)的合同。制造手機和國防用GaAs射頻電路(在6英寸晶圓廠中制備)的Filtronic公司指出，項目如獲成功，英國將可能首次成為量產LED芯片的基地。

　　實際上，目前實現商業化的GaN LED都是在藍寶石或硅化硅(SiC)襯底上制備出來的。這兩種襯底都有一定的缺點：藍寶石生產向大尺寸晶片邁進被證明有一定困難，而SiC相對來說則比較昂貴。但Cree最近已開始將其 GaN-on-SiC(碳化硅上氮化鎵)LED的生產向4英寸晶片轉移。另一方面，成本較低的GaN-on-silicon(硅上氮化鎵)LED還處于實驗室開發階段。普通認為日本Shimei Semiconductor公司正在將其擁有的GaN-on-silicon制備方法商業化，盡管該公司的網站上未有任何產品被披露。

　　合作團隊認為在6英寸硅襯底開發GaN LED的新穎方法潛力很大，但還只是說，這一項目將使固態照明路線圖前進一大步，為英國進入未來主流市場提供了一條路徑。這一技術采用的關鍵是成本，項目致力于通過研究大直徑襯底和成熟量產的一致性來開發低成本解決方案。(http://compoundsemiconductor.net/articles/news/11/6/8/1)（編輯：ZQY）