近日獲悉，東貝光電(2499)、宏達電旗下的鴻達國際投資將參與全新光電(2455)4.832億元的現金增資，進行太陽能電池磊芯片的研發與量產。

　　兩家積極參與增資的原因主要有兩方面。其一，看好全新光電在紅光LED方面的技術。其二，全新光電近期有望提高砷化鎵的太陽能電池磊芯片的轉換效率，預計年底前由目前的31%提高到35%。

　　不同于目前已缺貨的硅外延片太陽能技術，全新光電運用化合物半導體材料可吸收較寬廣之太陽光譜能量特性，大幅提高轉換效率。

　　全新光電主管表示，化合物半導體材料仍存在材料價格高、推廣難的問題。不過，由于轉換效率較高、所需土地面積小，成為發電廠的備選項，應用前途廣闊。

　　關于全新光電

　　全新光電成立于1996年11月，主要以有機金屬氣相外延成長法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)為核心技術，提供各種光電子/微電子元件的磊芯片代工, 并提供超高亮度LED芯片。

　　全新光電以HBT(異質接面雙載子磊芯片)砷化鎵微波元件起家，近年積極跨入紅光LED和太陽能電池磊芯片，全新的紅光LED在業界的效率僅次于晶電，幷與華上光電在伯仲之間，因此引起下游廠商的注意。

　　除紅光LED以外，全新光電因早期即投入太陽能電池研發，去年以「高效率聚光型多接面太陽能電池磊芯片」獲經濟部技術處主導性新產品計劃，目前已達31%轉換效率技術水準，預定年底前可將轉換效率提高至35%，全新光電積極參與國內核能研究所高效率聚光型太陽能光電發電系統(HCPV)計劃，是臺灣太陽能電池磊芯片唯一得標廠商。（編輯：PCL）