Tokuyama公司啟動AIXTRON MOCVD
2007-10-03
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摘要： 2007年10月2日，AIXTRON宣布AIX 200/4 RF-S MOCVD在日本的Tokuyama公司成功啟動運行，該系統安裝在Tokuyama的研發中心，用于AlGaN基紫外LED的開發和制造。
2007年10月2日，AIXTRON宣布AIX 200/4 RF-S MOCVD在日本的Tokuyama公司成功啟動運行，該系統安裝在Tokuyama的研發中心，用于AlGaN基紫外LED的開發和制造。
Tokuyama公司稱紫外LED具有很大的工藝挑戰性，但憑借著優越的工藝穩定性和1400°C的高溫承受力，AIX 200/4 RF-S有能力提供最高質量的GaN和AlGaN層。在東京工業大學(Tokyo Institute of Technology)Aoyagi教授的協作下，Tokuyama公司對AIXTRON系統在這一應用的適用性做了評估和認證。另一臺AIXTRON反應室的安裝將加速GaN紫外LED材料和器件的開發進程。
注：Tokuyama公司是全球化學產品領先的開發制造商，其產品范圍很廣，包括電子行業使用的超純多晶硅。Tokuyama公司還擁有世界上最大的AlN工廠，擁有高導熱性能的AlN可用于大功率LED、LD等高溫元器件。（編輯:PCL)
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