Cree宣布推出100mm零微管SiC襯底商品
2007-10-16
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來源：中國半導體照明網譯
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摘要： 2007年10月15日，Cree宣布推出零微管(ZMPTM)100mm(4英寸)、n型SiC襯底，憑借這一成果，Cree加強了其在全球SiC基半導體材料市場領先制造商的地位。SiC可用于生產范圍很廣的電力、光及通信元件，其中包括電源切換、LED和無線通信用RF(射頻)功率晶體管。
2007年10月15日，Cree宣布推出零微管(ZMPTM)100mm(4英寸)、n型SiC襯底，憑借這一成果，Cree加強了其在全球SiC基半導體材料市場領先制造商的地位。SiC可用于生產范圍很廣的電力、光及通信元件，其中包括電源切換、LED和無線通信用RF(射頻)功率晶體管。
微管是SiC中的晶體缺陷，目前商業襯底賣主供應的所有的SiC晶片幾乎都存在這一問題。微管不僅會減少每一晶片可出產的電子器件個數，還會對每一電子器件的性能造成負面影響。而Cree通過之前的研發(獲得美國陸軍和國防先進研究計劃總署的部分支持)，已大大降低了該缺陷密度。
Cree稱向100mm ZMP襯底技術的轉換是行業大范圍選擇SiC作為大功率開關元件材料的重要一步，Cree其他產品組與這一技術的整合預計會加速市場采用SiC作為大批量、生產就緒(production-ready)材料平臺的速度。(編輯：PCL）
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