美國Cree擬于2009年開始供應SiC底板
2007-10-20
作者：
來源：日經BP社
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摘要： 美國Cree表示，計劃于2009～2010年開始供應直徑150mm(6英寸)的SiC底板。150mm是現有使用硅底板的功率半導體量產所用尺寸，很多元器件廠商均要求供應這種口徑的SiC底板。
美國Cree表示，計劃于2009～2010年開始供應直徑150mm(6英寸)的SiC底板。150mm是現有使用硅底板的功率半導體量產所用尺寸，很多元器件廠商均要求供應這種口徑的SiC底板。
據該公司稱，SiC底板單位面積的初期成本方面，通過從100mm向150mm過渡，大約可以削減20～25%。(記者：大下 淳一)
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