晶能光電：一期工程已竣工，年生產能力達30億粒LED芯片
2008-11-07
作者：未知
來源：ledinside
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摘要： 日前，具有自主知識產權的新興半導體生產企業，晶能光電（江西）有限公司一期工程在江西省南昌市正式竣工并投產。
日前，具有自主知識產權的新興半導體生產企業，晶能光電(江西)有限公司一期工程在江西省南昌市正式竣工并投產。
據了解，晶能光電(江西)有限公司是以南昌大學江鳳益教授研發的“硅襯底藍光二極管材料及器件”技術為依托，由金沙江、永威投資、淡馬錫等國際風險投資公司注冊資金5000萬美元，總投資30億元人民幣建立的專門硅襯底LED外延材料與芯片生產的高科技企業。目前，晶能光電是世界上為數不多的在硅上生長氮化鎵的公司之一，且產品具有完整自主知識產權。其研制成功，改變了美日等發達國家壟斷LED核心技術的局面。
晶能光電的一期工程于4月30日正式投產，年生產能力達到30億粒LED芯片。其二期投資9億元人民幣，將實現年產100億粒藍、綠光LED芯片，力爭成為全球具有競爭力的藍綠色發光二極管生產企業之一。三期投資15億元人民幣，建設LED大功率照明應用產品及產業集群，吸引全球半導體上下游配套產業在南昌集聚。(編輯：ZQY)
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