法國科學家的研究顯示，“單晶”(monolithic)白光發光二極管(WLED)的表現可望超越先前使用復合技術制造的WLED。CRHEA-CNRS的Benjamin Damilano及其研究團隊利用氮化銦鎵(GaInN)/氮化鎵(GaN)制量子阱來產生藍光及黃光，進而制作出WLED。這項成果使WLED的商業化有向前推進一步，未來有希望取代目前使用的白熾燈泡。

　　科學家在WLED方面已經努力了近十年，希望制作出效率高、壽命長且便宜的固態WLED，以便與現行高耗能的白熾燈泡或熒光燈管一較長短。雖然發光效率達200lm/W的WLED已經問世，但與傳統光源相比，成本仍舊偏高。

　　近來，包含CRHEA-CNRS在內的許多研究團隊都證實，通過在氮化鎵的p-n接口中堆棧氮化銦鎵或氮化鎵量子阱，就可以制造出單晶WLED。所謂單晶是指采用連續外延生長的單一工法來取代傳統制造磷光WLEDs的雙重工法(外延加上沉積)。這項技術不僅能降低成本，更可以提升產品可靠度。

　　CRHEA-CNRS團隊借助在組件p-n接口中的電子主動區生長不同厚度的量子阱，來產生藍光及黃光，混合后便能產生白光。然而這項設計有個缺陷：激發出的光對于注入的電流變化非常敏感，所以組件的發光效率會被黃光量子阱限制住。

　　生產WLED的現場