InPhenix成功研制出840nm SLED
2009-01-13
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來源：光電新聞網
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摘要： 作為電信、醫療, 工業、航空航天和安全等領域光電器件和子系統領先的供應商，Inphenix公司高興地宣布公司已經研制出新型840nm的大功率寬帶SLED器件，該款SLED器件的帶寬大于30nm，功率大于5mw，能應用于工業和醫療領域。
作為電信、醫療, 工業、航空航天和安全等領域光電器件和子系統領先的供應商，Inphenix公司高興地宣布公司已經研制出新型840nm的大功率寬帶SLED器件，該款SLED器件的帶寬大于30nm，功率大于5mw，能應用于工業和醫療領域。
新款的840nm SLED擴展了Inphenix公司在750-1600nm波段的SLED產品線，增強了Inphenix的GaAs光學器件在OCT領域的應用表現。840nm波長SLED使用了獨特的多重量子阱設計，使之具有功率大、帶寬寬、以壽命長的特點，器件工作更穩定。
目前840nm SLED已經開始批量發貨，可接受小批量和大批量訂貨。(編輯：CBE)
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