日本LED大廠日亞化學(Nichia)利用制造藍光激光器的GaN基板，配合制程與結構的改良，制作出波長515 nm的連續(xù)波綠光激光二極管，打破先前電激發(fā)氮化銦鎵(InGaN)激光器所保持的500 nm最長波長記錄，而且正朝生命周期長達數(shù)百個小時的目標前進。

　　在GaN系列研究居領先地位的Nichia，并未提供515 nm的激光器的可靠度數(shù)據(jù)，但他們制作的另款波長為510-513 nm的激光器二極管可以在電性不變情況下運作500小時;超過500小時后，激光器效能會逐漸降低。Nichia的研究人員根據(jù)操作電流較初始值增加30%來定義激光器的可使用壽命，估計激光器的使用時間可長達5000小時。

　　Nichia團隊利用分離局限式異質(zhì)結構(separate confinement heterostructure, SCH)的二極管來產(chǎn)生激光，與他們在2001年所發(fā)表的設計幾乎完全相同。通過最優(yōu)化的MOCVD制程，將AlInGaN薄膜沉積在自立(free-standing)的c面(c-plane)GaN基板上，是讓高銦含量材料產(chǎn)生綠光的關鍵。

　　Nichia團隊表示，他們改善外延層，特別是多重量子阱層(MQW)的長晶條件，同時也改善高銦含量的InGaN活化層的結晶質(zhì)量，但并未進一步發(fā)表有關最優(yōu)化條件的細節(jié)。Nichia先前也發(fā)表過波長488 nm 的InGaN激光二極管，但因為晶體質(zhì)量不佳導致非輻射區(qū)域的產(chǎn)生，在光致發(fā)光(photoluminescence, PL)分析下呈現(xiàn)暗區(qū)。Nichia的Takashi Mukai等人指出，在新器件的設計中，已經(jīng)將這些區(qū)域消除了。

　　室溫下，波長515 nm激光器二極管的電流與電流密度閥值分別為53 mA及4.4 kA/cm2。在操作電流為88 mA、電壓5.5 V的條件下，輸出功率為5 mW。而操作波長為510–513 nm的激光器二極管，在室溫下因溫度變化造成的波長偏移量最大值為0.022 nm/K，遠小于Osram與Rohm最近推出的綠光激光二極管。(編輯：XGY)