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國內(nèi)首臺(tái)高端LED芯片制造用ICP刻蝕機(jī)交付使用

2010-06-08 作者:未知 來源:ledinside 瀏覽量: 網(wǎng)友評論: 0

摘要: 近日,由北方微電子開發(fā)的ELEDETM330高密度等離子ICP刻蝕機(jī)完成組裝調(diào)試,正式交付客戶使用。ELEDETM330是北方微電子半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)在LED領(lǐng)域的成功擴(kuò)展,該設(shè)備的成功上線,標(biāo)志著國產(chǎn)LED刻蝕設(shè)備已得到主流生產(chǎn)線的認(rèn)可,使我國高端LED設(shè)備的國產(chǎn)化水平得到了新的提升。作為我國首臺(tái)直接面向LED生產(chǎn)線的大產(chǎn)能刻蝕設(shè)備,ELEDE?330可滿足藍(lán)寶石襯底圖形化刻蝕、Si襯底刻蝕以及GaN基外延層刻蝕等LED領(lǐng)域所有刻蝕應(yīng)用。

  近日,由北方微電子開發(fā)的ELEDETM330高密度等離子ICP刻蝕機(jī)完成組裝調(diào)試,正式交付客戶使用。ELEDETM330是北方微電子半導(dǎo)體刻蝕技術(shù)在LED領(lǐng)域的成功擴(kuò)展,該設(shè)備的成功上線,標(biāo)志著國產(chǎn)LED刻蝕設(shè)備已得到主流生產(chǎn)線的認(rèn)可,使我國高端LED設(shè)備的國產(chǎn)化水平得到了新的提升。作為我國首臺(tái)直接面向LED生產(chǎn)線的大產(chǎn)能刻蝕設(shè)備,ELEDE™330可滿足藍(lán)寶石襯底圖形化刻蝕、Si襯底刻蝕以及GaN基外延層刻蝕等LED領(lǐng)域所有刻蝕應(yīng)用。

  ELEDE™330采用了適用于大規(guī)模生產(chǎn)的高產(chǎn)能設(shè)計(jì),一次可完成27片2英寸GaN基外延層刻蝕或22片2英寸藍(lán)寶石襯底刻蝕,大大提高設(shè)備產(chǎn)出效率;系統(tǒng)集成了高密度等離子體源、高壽命機(jī)械卡盤、精密的腔室溫度控制系統(tǒng)、穩(wěn)定的高精度壓力控制系統(tǒng)、IC標(biāo)準(zhǔn)的中央噴嘴進(jìn)氣系統(tǒng)和IC級別的腔室表面處理等多項(xiàng)先進(jìn)技術(shù),用IC刻蝕工藝更為精密的設(shè)計(jì)要求來實(shí)現(xiàn)LED領(lǐng)域更高性能的刻蝕工藝,以更大程度地提高LED芯片的發(fā)光效率。

(編輯:FJ)

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