目前全球初步形成以亞洲、北美、歐洲三大區(qū)域為中心的LED產業(yè)格局，以日本日亞、豐田合成、美國Cree、Lumileds和Osram等為專利核心的技術競爭格局，幾大大企業(yè)之間通過交互授權避免專利糾紛，其它企業(yè)則通過獲得這些企業(yè)的單邊授權避免專利糾紛，幾大企業(yè)各具優(yōu)勢，但都專注于各自領域的高端市場，其它企業(yè)則角逐中高端、中低端乃至低端市場，構成產業(yè)的中心外圍格局。

　　半導體照明的世界布局

　　近年來，世界各國在半導體照明產業(yè)領域躍躍欲試、劍拔弩張，巨大的跨國商機相繼誘發(fā)催生了日本的”21世紀照明”計劃、美國的”下一代照明計劃”、歐盟的”彩虹計劃”、韓國的”固態(tài)照明計劃”、中國臺灣的”新世紀照明光源開發(fā)計劃”和中國大陸的”國家半導體照明工程”計劃等國家級照明規(guī)劃，促使日本、美國、歐盟、韓國、中國臺灣和中國大陸等國家或地區(qū)攜巨資前赴后繼地在上游的襯底制作、外延晶片生長，中游的光刻、腐蝕、金屬蒸鍍、芯片切割和測試分選以及下游的器件封裝、集成應用等各個環(huán)節(jié)展開了激烈地競爭。

　　LED照明產生的效益顯而易見，世界各國都在政府的大力資助下加快推進LED照明取代傳統(tǒng)照明的步伐，日本、美國、歐盟、韓國、東南亞、我國臺灣和中國政府都制定了相應的發(fā)展計劃。

　　美國：半導體照明規(guī)劃全球矚目

　　美國政府尤其制定了詳細的中長期半導體照明戰(zhàn)略計劃。根據(jù)美國固態(tài)照明LED發(fā)展路線圖計劃，從2002年到2011年，美國政府計劃每年投入0.5億美元，來資助企業(yè)、國家實驗室和大學三方共同推動LED照明技術的加速發(fā)展。LED照明技術的發(fā)展目標是：發(fā)光效率將分階段從2002年的25lm/w提高到2007年75lm/w、2012年的150lm/w和2020年的200lm/w,發(fā)光成本將從2002的200美元/千流明降低到2007年的20美元/千流明、2012年的5美元/千流明和2020年的2美元/千流明。LED照明在2007年開始滲透進入白熾燈照明市場、2012年進入熒光燈照明市場，而大量取代白熾燈和熒光燈將分別在2012年和2020年。[NT:PAGE=半導體照明的世界布局$]

　　日本：“21世紀照明”計劃進入二期

　　日本21世紀照明計劃是由日本金屬研發(fā)中心和新能源產業(yè)技術綜合開發(fā)機構(NEDO)發(fā)起和組織的為期5年(1998-2004)的一個國家計劃。這項計劃的參與機構包括4所大學、13家公司和一個協(xié)會，目標旨在通過使用長壽命、更薄更輕的GaN高效藍光和紫外LED技術使得照明的能量效率提高為傳統(tǒng)熒光燈的兩倍，減少CO2的產生。整個計劃的財政預算為60億日元。整個計劃分為5個主要領域進行，即在襯底、外延片、制造裝置、LED光源和LED應用。該計劃的技術路線圖，其核心在于高質量材料的生長，高功率管芯的制備以及高效率白光熒光粉的獲得。計劃解決的問題包括：GaN基化合物半導體發(fā)光機理研究;UVLEDs外延生長方法的改進;大尺寸同質襯底生長;開發(fā)近紫外激發(fā)的白光熒光粉，實現(xiàn)使用白LED的照明光源。

　　日本已經完成了”21世紀照明”發(fā)展計劃的第一期目標，正在組織實施第二期計劃，他們計劃到2010年，LED發(fā)光效率達到120lm/W。

　　歐洲彩虹計劃和韓國”固態(tài)照明計劃”

　　歐盟設立了多色光源的”彩虹計劃”，成立了執(zhí)行研究總暑，委托6個大公司和2個大學執(zhí)行。

　　韓國的”固態(tài)照明計劃” 經政府審議批準，2004-2008年國家投入1億美元，企業(yè)提供30%的配套資金，近期開始實施，預期2008年達到80lm/W。

　　韓國政府組織里有2個產業(yè)相關單位，一是主管工商業(yè)與能源的產業(yè)資源部以及主管財經的財政經濟部。產業(yè)資源部表示，目前產業(yè)資源部光電相關發(fā)展有2大計劃，一是產業(yè)基礎技術開發(fā)計劃下之「GaN光半導體」開發(fā)子計劃。此一國家型計劃時程自1999年12月起至2004年11月止，為期5年，總經費為200億韓元，政府與民間公司出資各占一半。研究項目包括以GaN為研究材料之白光LED,藍、綠光LaserDiode及高功率電子組件HEMT三大領域，其中各三大領域之Leader廠商分別由Knowledge*OnSamsungAdvancedInstituteofTechnology及LGInstituteofTechnology負責進度管理。預期效果在2006年達到替代10億美元的進口GaN相關產品。

　　另一個光電發(fā)展計劃為在光州市設立韓國光產業(yè)振興會(KAPID)，韓國光電技術研究院(KPTI)以及若干小型研究計劃，發(fā)展時間自2000年起至2003年止為期4年，總經費為4,020億韓元，由產業(yè)資源部與光州市政府及民間企業(yè)共同投資，其中KAPID于2000年5月成立，負責光電產業(yè)之信息研究與推動，而KPTI則專注在光電技術之研究開發(fā)，新建筑物及相關研究設備則預計2003年才能全部完成。[NT:PAGE=“21世紀照明”計劃進入二期$]

　　臺灣：下一代照明光源開發(fā)計劃

　　由臺灣政府和工業(yè)技術研究院主導，于2002年9月積極協(xié)助島內11家LED廠商成立”下一代照明光源研發(fā)聯(lián)盟”,進行高亮度白光LED的研究和開發(fā)。2002年10月，在臺灣”經濟部”能源委員會與臺灣區(qū)照明燈具輸出同業(yè)公會的進一步支持下成立”半導體照明產業(yè)推動聯(lián)盟”,并在臺灣政府支持下，建立”高亮度白光LED專案計劃”,希望透過半導體和照明產業(yè)之聯(lián)動，整合照明節(jié)能系統(tǒng)產品與元組件技術，同時結合臺灣政府科技發(fā)展資源，利用臺灣在半導體產業(yè)所形成的優(yōu)勢，加速高效率LED照明技術的研發(fā)和普及應用，提升臺灣照明相關技術水準及產業(yè)競爭力，并制定相關LED產業(yè)政策，以創(chuàng)造臺灣半導體照明產業(yè)的競爭優(yōu)勢。

　　臺灣地區(qū)推動的”下一代照明光源開發(fā)計劃”,投資約6-10億新臺幣，2005年目標是40lm/W的LED投入生產，而實驗室目標為100lm/W。

　　國外LED芯片巨頭壟斷中國照明市場趨勢加強

　　與中國本土芯片企業(yè)的暗落趨勢形成鮮明對照，以Cree、Osram、Philip等五大LED芯片巨頭為代表的國外企業(yè)進軍中國市場的形勢咄咄逼人，他們欲壟斷中國LED照明市場的意圖明顯加強。

　　Cree在保持2008年全年增長率達24%的情況下，積極為進軍中國市場布局。

　　2007年并購華剛(COTCO)的LED封裝事業(yè)部，將其產業(yè)鏈延伸至中游的封裝階段，進一步擴大其在芯片方面的優(yōu)勢地位。目前，Cree正在積極推動與韓國顯示器巨頭LGDisplay在中國合資建造LED封裝廠。

　　Osram面對未來3年內中國巨大的照明市場，也積極在中國各個照明重鎮(zhèn)設立研發(fā)、生產等分立機構，擴張其在中國的版圖，如在佛山及紹興建立照明應用及封裝子公司，在上海、武漢及深圳等地設立研發(fā)機構等。

　　Philip旗下的Lumileds則是利用Philip在中國已有的品牌優(yōu)勢及芯片優(yōu)勢在全國各地大力打造大型LED照明工程，積極推廣其LED照明解決方案。

　　目前，Cree、Nichia、Lumileds、Osram等少數(shù)幾家國外公司是國際上主流的照明級LED芯片及器件制造商，他們具有各自獨特的外延和芯片技術路線，各家所生產的芯片產品封裝白光器件的發(fā)光效率普遍超過100lm/W。[NT:PAGE=下一代照明光源開發(fā)計劃$]