砷化鎵磊晶廠全新(2455)迎向砷化鎵產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)旺季，在手機(jī)品牌大廠紛紛看好對砷化鎵組件的料件需求、且砷化鎵組件大廠TriQuintSemiconductorInc.接連調(diào)升第三、四季財(cái)測，全新已確定揮別第三季初客戶庫存調(diào)節(jié)、導(dǎo)致營收下滑的低潮。再加上全新用以生產(chǎn)砷化鎵晶圓的有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備(MOCVD)今年擴(kuò)充10臺，將在年底前完成裝機(jī)，總計(jì)32臺，法人評估，預(yù)期全新明年產(chǎn)能將較今年大增5成，營收也可望向上攀升逾6成。

　　全新今年7月受到客戶端調(diào)節(jié)庫存的影響，使得第三季單季營收季減20%，但全新表示，在第三季尾端，即感受到客戶端下單的動(dòng)能又再度開啟，公司評估今年的營收低潮已經(jīng)過去;另一方面，第四季隨著傳統(tǒng)購物節(jié)日的來臨，產(chǎn)業(yè)對于搭載在消費(fèi)性無線通信產(chǎn)品的砷化鎵組件需求大增，因此全新看好第四季的營運(yùn)狀況。

　　在全新的產(chǎn)銷結(jié)構(gòu)上，前2大客戶穩(wěn)懋(3105)與TriQuint即占營收比重逾9成，而今年TriQuint陸續(xù)調(diào)升三、四季的單季財(cái)測，因此市場普遍認(rèn)為，全新第四季的營收狀況也值得期待。

　　在新產(chǎn)能方面，有別于傳統(tǒng)pHEMT磊晶圓以MBE制程生產(chǎn)，全新此次裝機(jī)的MOCVD設(shè)備，是以氣相沉積方式生產(chǎn)pHEMT;在明年第二季完全投產(chǎn)后，pHEMT將占全新產(chǎn)品結(jié)構(gòu)約20%(目前為10%)，而HBT比重則略減至80%(目前為9成)。

　　以全新在砷化鎵磊芯片的全球市占率逾1成來看，在32臺MOCVD機(jī)臺持續(xù)投產(chǎn)的狀況下，全新與目前市占率第一名的Kopin(約30%)、與第二名IQE(20%)的差距正持續(xù)縮小，明年市占率即有機(jī)會(huì)挑戰(zhàn)20%，與IQE平起平坐。

　　此外，全新已發(fā)展出BiHEMT(異質(zhì)接面雙載子暨假晶高速電子移動(dòng)晶體管)技術(shù)，成功整合pHEMT與HBT兩種砷化鎵晶體，突破了砷化鎵晶圓隨不同應(yīng)用領(lǐng)域須以不同制程生產(chǎn)的限制，由于體積小、設(shè)計(jì)靈活度高的特性，BiHEMT未來可望成為砷化鎵產(chǎn)業(yè)的主流技術(shù)，而全新即是該技術(shù)的領(lǐng)先者。

　　由于砷化鎵半導(dǎo)體高頻、高效率的物理特性，近年受到行動(dòng)通訊產(chǎn)品的規(guī)格提升，3G手機(jī)、智能型手機(jī)及802.11n等行動(dòng)通訊產(chǎn)品滲透率逐漸提高，產(chǎn)業(yè)對砷化鎵組件的需求亦日增。

　　舉例而言，一支2G手機(jī)僅需搭載1-2顆的砷化鎵功率放大器(PA)，然而包含WiFi功能的3.5G手機(jī)，則可能需要搭載到6-8顆;以日前研究機(jī)構(gòu)預(yù)測的2011年全球手機(jī)出貨量16.5億支計(jì)算，對于砷化鎵組件的需求即可能高達(dá)60億顆以上，較今年提升約2成，市場規(guī)模相當(dāng)驚人。