杭州遠方光電信息股份有限公司對該產品進行了產品檢測，青島杰生電氣生產的波長280納米的深紫外LED，在 20毫安連續直流電流下，發光強度超過2.0毫瓦，外量子效率大于2.5%;目前用它制成的深紫外LED模組標定輸出功率超過32毫瓦。

　　青島杰生電氣有限公司成立于2001年，致力于氮化鎵基金屬有機物化學氣相沉積設備(GaN- MOCVD)的研發，取得了MOCVD設備制造技術、高質量GaN外延材料制備技術、高性能p型GaN材料制備技術、高質量InGaN/GaN多量子阱制備技術、高亮度GaN藍光、紫光以及紫外光LED外延片制備技術、高Al組分AlGaN材料制備技術和深紫外LED制造技術等關鍵技術突破。

青島杰生背景：

杰生的官方網站（www.qdjason.com）這樣寫著：

　　青島杰生電氣有限公司成立于2001年 ，是由留學回國人員創辦的高新技術企業，坐落于青島高新技術產業開發區。

　　公司擁有一支本領域高尖端人才隊伍，專門從事氮化鎵外延生長的“金屬有機物氣相淀積法”設備(簡稱： MOCVD SYSTEM)的研制開發和生產，是國內目前唯一的GaN-MOCVD設備生產制造廠家。

　　公司自成立以來，已先后研制開發出了具有國際先進水平的2英寸單片和2英寸3片的氮化鎵基外延材料生長設備，該設備已成功投入使用，在藍寶石Sapphire晶片和 碳化硅SiC 晶片生長出各種結構的GaN基材料。

　　公司以研發和生產高質量GaN-MOCVD SYSTEM為起點，開發具有完全自主知識產權、高技術含量、高附加值的從研究型到生產型MOCVD SYSTEM，該系列成果經專家鑒定已達到目前同類技術和產品的國際先進水平，并已獲得國家發明專利。目前正在研制的“GaN-MOCVD深紫外LED材料生長設備”項目已獲得“十一五”國家高技術研究發展計劃(863計劃)新材料領域“半導體照明工程”重大項目課題支持。

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