廣東銀雨半導(dǎo)體的最新晶片研發(fā)項目獲得了重大突破，該項目通過從外延、芯片到封裝的一系列工藝制程的改進(jìn)與優(yōu)化，使大功率LED的光效達(dá)到了100lm/W，該項芯片研發(fā)突破了三項技術(shù)難點問題，獲得了9項晶片專利授權(quán)。目前，10*23mil藍(lán)光芯片已成功銷往韓國高端照明應(yīng)用市場。

　　廣東銀雨芯片半導(dǎo)體有限公司作為標(biāo)桿的光電企業(yè)，根據(jù)自身的資源與優(yōu)勢，希望透過從上游磊晶制程及中游晶粒成型制程的掌控;擴(kuò)充公司現(xiàn)有在LED封裝成型的產(chǎn)量;一直到結(jié)合現(xiàn)有在LED相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)及生產(chǎn)能力，達(dá)到一條龍式的經(jīng)營模式，形成一個完整的供應(yīng)鏈。對上游關(guān)鍵元件的充分掌握，充分體現(xiàn)英語半導(dǎo)體從關(guān)鍵元件到產(chǎn)品垂直的目標(biāo)，以降低產(chǎn)品價格而提高產(chǎn)品的競爭力，服務(wù)社會大眾。

　　銀雨半導(dǎo)體晶片項目的創(chuàng)新突破點：

　　1、襯底圖形化設(shè)計和N-AlGaN/GaN超晶格電流擴(kuò)散刻蝕阻擋層設(shè)計提高功率LED的內(nèi)量子效率；

　　2、利用外延片的倒裝焊工藝與藍(lán)光芯片發(fā)光面光學(xué)微結(jié)構(gòu)設(shè)計相結(jié)合技術(shù)，來提升LED的發(fā)光效率；

　　3、利用發(fā)光芯片與厚金屬(100um以上)貼合制程技術(shù)，搭配激光剝離技術(shù)制備單電極芯片，提高芯片良率和發(fā)光效率；

　　4、利用具有梯度折射率的封裝材料由高向低涂覆在芯片上，來提高芯片封裝的出光效率；

　　5、采用共晶焊技術(shù)降低封裝熱阻，提高功率LED可靠性；

　　6、與周邊大學(xué)共同培養(yǎng)LED專業(yè)人才以滿足半導(dǎo)體照明行業(yè)的快速發(fā)展。

　　突破的三項關(guān)鍵技術(shù)難點：

　　1、圖形襯底研究和N-AlGaN/GaNSuperlattice超晶格電流擴(kuò)散刻蝕阻擋層的實現(xiàn)；

　　2、藍(lán)光芯片發(fā)光面光學(xué)微結(jié)構(gòu)設(shè)計和激光剝離技術(shù)制備單電極芯片；

　　3、適用于照明要求的散熱封裝設(shè)計及封裝中的高效光學(xué)設(shè)計。

　　技術(shù)方向：

　　1、量產(chǎn)高壓晶片光效可達(dá)120lm/w;

　　2、大功率芯片光效110lm/w;

　　3、大電流驅(qū)動，降低應(yīng)用芯片數(shù)量，降低成本。