英飛凌300mm口徑硅晶圓的功率半導(dǎo)體元件初期生產(chǎn)成功
摘要: 目前功率元件中使用的硅晶圓口徑最大為200mm。英飛凌市場(chǎng)營(yíng)銷及分銷高級(jí)副總裁Anton Mueller自豪地表示,“我們是業(yè)界第一家”證實(shí)了采用300mm晶圓可以制造出與200mm晶圓功率元件具有同等工作特性的產(chǎn)品。此次雖沒有透露量產(chǎn)開始的時(shí)間,但Anton Mueller表示“2012年下半年將結(jié)束(開始量產(chǎn)所必需的)驗(yàn)證工作,那之后將開始量產(chǎn)”。
德國(guó)英飛凌科技(Infineon Technologies)利用300mm(12英寸)口徑硅晶圓(基板)的功率半導(dǎo)體元件(以下簡(jiǎn)稱功率元件)初期生產(chǎn)獲得了成功。雖然此次沒有公布詳細(xì)情況,但該公司稱此次制成了高耐壓Super-Junction型MOSFET,并確認(rèn)了與用200mm晶圓制造的產(chǎn)品具有同等的工作特性。
目前功率元件中使用的硅晶圓口徑最大為200mm。英飛凌市場(chǎng)營(yíng)銷及分銷高級(jí)副總裁Anton Mueller自豪地表示,“我們是業(yè)界第一家”證實(shí)了采用300mm晶圓可以制造出與200mm晶圓功率元件具有同等工作特性的產(chǎn)品。此次雖沒有透露量產(chǎn)開始的時(shí)間,但Anton Mueller表示“2012年下半年將結(jié)束(開始量產(chǎn)所必需的)驗(yàn)證工作,那之后將開始量產(chǎn)”。
英飛凌在奧地利的菲拉赫研發(fā)采用300mm晶圓的功率元件,并于2010年10月開始著手建立試產(chǎn)線(Pilot Line)。采用300mm晶圓的功率元件量產(chǎn)基地設(shè)在德國(guó)德累斯頓。預(yù)定在2014年之前投入約2億5000萬歐元用于建設(shè)量產(chǎn)基地。英飛凌將有效利用從德國(guó)奇夢(mèng)達(dá)收購(gòu)的德累斯頓生產(chǎn)基地。(來源:技術(shù)在線)
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