2012年8月30日——愛思強股份有限公司今天宣布，昭和電工(日本，秩父)在其現有愛思強設備基礎上，增購一套熱壁碳化硅化學氣相沉積行星式反應器。該化學氣相沉積(CVD)系統可同時處理10片100mm晶圓或6片150mm晶圓，將被應用于針對一系列電力電子應用及元件類型(例如太陽能發電模塊、交直流轉換及工業電機控制的逆變器系統)在碳化硅(SiC)基底上生長同質外延材料。

　　通過新系統的應用，昭和電工將可提高現有直徑為100mm晶圓的產量，并可拓展至更大直徑的150mm碳化硅晶圓的生產，該種晶圓目前已可從半導體材料供應商處購得。實現對更大晶圓的生產將可在降低成本的同時提高市場接受度。

　　愛思強股份有限公司副總裁兼電力電子項目經理Frank Wischmeyer博士評價道：“愛思強系統的設計是為了通過減少襯底邊緣排除區(wafer edge exclusion zone)，提高更大直徑基底的單片晶圓使用率，從而進一步推動規模經濟效益。碳化硅在這類應用的魅力源于其獨特的材質，例如高臨界電場強度，允許高擊穿電壓以及低導通電阻。碳化硅在電力應用方面的更大優勢在于其導熱性高和耐熱強度大。”

　　愛思強為這套最先進的生產系統平臺開發出一個特別反應室，可承受碳化硅晶圓外延過程最高所需達到的1650°C高溫。在外延過程中，愛思強系統每批所處理的6片150 mm晶圓會各自進行“行星式”自轉，展現技術最先進的均勻性和可重復性。

　　昭和電工之所以選擇愛思強熱壁碳化硅化學氣相沉積行星式系統，是為了借助愛思強在此方面的豐富經驗與專業技術，同時通過具成本效益的150mm碳化硅晶圓拓展其業務范圍。該公司看到碳化硅相關產品在消費電子市場迅速產生的機遇，以及其未來在鐵路動力處理與自動化市場中的廣闊前景。2008年底，昭和電工向Esicat – Japan LLP(日本產業技術綜合研究所(AIST)、日本電力中央研究所(CRIEPI)以及昭和電工的一家合資公司)收購碳化硅外延晶片業務。

　　文章來源：SEMI