早在2008年，羅姆就提出“相乘戰(zhàn)略”、“LED戰(zhàn)略”、“功率元器件戰(zhàn)略”、“傳感器網(wǎng)絡(luò)戰(zhàn)略”的4大發(fā)展戰(zhàn)略，從這些戰(zhàn)略不難看出，羅姆公司的產(chǎn)品正朝著節(jié)能環(huán)保的方向發(fā)展。

　　8月30日，羅姆公司主辦的“2013 ROHM科技展”，在廣州嘉鴻華美達(dá)廣場(chǎng)酒店成功召開。從羅姆展出的功率元器件看，碳化硅作為新一代元功率器件材料備受矚目。SiC在高溫下?lián)碛谐霰姷墓ぷ魈匦浴㈦娏p失少、可高速化，這些特性在各種應(yīng)用中更加節(jié)省電力。羅姆的技術(shù)推廣人員講到：“我們常說的省電，通過元器件技術(shù)一點(diǎn)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)。”

　　不少IC都受到尾電流(關(guān)斷時(shí)流過的過渡電流)的困擾，在開關(guān)的時(shí)候，電力損耗較大。從HybridMOS和SiC的新產(chǎn)品MOS來看，羅姆已經(jīng)克服尾電流的難關(guān)，在關(guān)斷時(shí)開關(guān)損耗可以減少90%，而且可實(shí)現(xiàn)50kHz以上的驅(qū)動(dòng)開關(guān)頻率，實(shí)現(xiàn)機(jī)器的節(jié)能化。

　　今年4月，羅姆開發(fā)的Hybrid MOS展現(xiàn)出強(qiáng)大的效率性能和適應(yīng)性。它既具備SJ型功率MOSFET的高速開關(guān)特性與良好的低電流性能，又具備IGBT的高耐壓特性。此前，要求具備節(jié)能性的電子設(shè)備一直使用具有高速開關(guān)特性和良好低電流性能的SJ型功率MOSFET。但是，工業(yè)用大功率設(shè)備要求能在高溫下工作并具備良好的大電流性能，SJ型功率MOSFET顯得性能不佳，只能采用IGBT。HybridMOS無論是在低電流區(qū)域還是大電流區(qū)域，均可獲得較高的轉(zhuǎn)換效率。該產(chǎn)品主要用于服務(wù)器、工業(yè)設(shè)備、節(jié)能家電等配備的電源電路及功率因數(shù)校正(PFC)電路。

　　相對(duì)Si材質(zhì)器件，新一代SiC器件在性能上具有絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)：耐高溫、耐高壓、耐高頻。羅姆的目標(biāo)是以SiC為核心，強(qiáng)化IC、TR等功率元件的產(chǎn)品線。通過擴(kuò)大普及SiC器件，還能助力全球范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)節(jié)能和減少CO2的排放。

　　據(jù)介紹，SiC的抗擊穿能力是Si的10倍，寬能帶隙是硅的3倍，高熱傳導(dǎo)是硅的3倍。那SiC材料的出現(xiàn)會(huì)不會(huì)取代Si的市場(chǎng)?羅姆的技術(shù)推廣人員做出解釋，SiC的效率很高，決定它會(huì)有很大的市場(chǎng)。目前，主要的缺點(diǎn)是價(jià)格太高，這需要業(yè)界各企業(yè)共同努力，改進(jìn)生產(chǎn)技術(shù)。由于SiC的特性，將來在高壓產(chǎn)品的領(lǐng)域可能會(huì)替代Si成為主流材料，但在低壓、低電流產(chǎn)品Si的性能會(huì)比較好，依舊在市場(chǎng)中占據(jù)優(yōu)勢(shì)。

　　誠如羅姆的技術(shù)推廣人員所言“SiC的效率很高，決定它會(huì)有很大的市場(chǎng)。”作為半導(dǎo)體技術(shù)首屈一指的主導(dǎo)企業(yè)，羅姆引領(lǐng)世界之先，致力于低損耗元器件的開發(fā)，已經(jīng)從半導(dǎo)體材料硅錠采集到模具，形成一條龍的制造、開發(fā)體系。羅姆產(chǎn)品的“節(jié)能環(huán)保”，正是從小小的元器件開始。