芯片材料

　　目前國內企業及科研機構已經實現在不同襯底(Al2O3、Si、SiC、AlN)上外延生長GaN材料，并已開發出圖形化襯底外延、非極性或半極性外延、襯底轉移、激光剝離、共晶焊接、ITO電極、表面粗化和光子晶體等產品和技術。

　　在提高內量子效率和外量子效率方面，我國也取得較大進展。目前已研發出AlGaN深紫外(260nm-400nm)發光二極管，以及1W的LED藍光芯片，白光LED的發光效率超過80lm/W，并研制出四元系AlGaInP紅光功率LED器件，發光效率約40lm/W。

　　然而，我國超高亮度芯片以及高亮度藍綠芯片產品技術仍有待進一步提高，國內該類芯片仍主要依靠進口。

　　由于外延片和芯片生產環節聯系緊密，行業內的多數企業在從事外延片生產的同時也進行芯片產品的生產。截止到2013年年底，我國(不包括臺灣地區)涉及LED外延/芯片的企業有近百家。

　　在外延/芯片環節，由于近兩年新建項目的陸續投產，區域分布呈現多地開花、分散發展的趨勢。其中，長三角地區企業數量超過30家，超過總數的1/3。

　　制備材料

　　LED制備材料主要指LED生產中需要用到的光刻膠、高純化學試劑、高純電子氣體、靶材和拋光材料。

　　我國LED領域光刻膠還處于產業化階段初期，國內能夠大批量生產的光刻膠包括紫外負性光刻膠、紫外正性光刻膠(G、I線膠)和TN-STN光刻膠等。然而，高端生產用光刻膠還需要依賴進口。

　　在高純化學試劑領域，國內的產業化技術水平基本能夠滿足LED生產要求。

　　在高純電子氣體領域，國產的6N高純氨已大量用于LED行業，取得了一定進展，但特種電子氣體方面整體技術水平與要求還有較大差距，高端核心技術和產品市場仍被國外把控。

　　在靶材領域，中國產業化技術水平和產品質量發展較快，基本實現了進口替代，存在突出問題是靶材主要原材料仍然依賴進口。在拋光材料領域，中國基本能夠生產LED領域藍寶石用拋光液和硅、化合物半導體襯底材料用拋光液及水溶膠納米磨料等，但在CMP工藝用其他拋光液、拋光液用核心基礎原材料等還依賴進口。

　　據不完全統計，目前中國從事光刻膠、高純化學試劑、高純電子氣體、靶材和拋光材料的企業有31家，主要以合資和民營企業為主，企業主要分布在長江三角洲和京津環渤海地區。國有及國有控股企業雖然數量上不及合資和民營企業，但產品銷售收入和從業人員處于絕對優勢。

　　深陷產業鏈低端

　　從2010年到2012年這短短3年間，LED芯片產能擴張超過10倍，導致了LED材料產業產能嚴重過剩。2014年，受下游應用市場帶動，大部分LED材料企業整體向好，MOCVD產能利用率上升至52%，開機率上升到70%左右，平均產能利用率較前兩年大幅度提高。

　　隨著市場的向好，以三安光電、華燦光電等為首的國內LED領軍企業紛紛開啟了新一輪的擴產，而且新增產能一舉超過了其本身的原有機臺數，未來LED材料產能過剩問題依然不容樂觀。LED材料產能過剩，加劇了企業之間的無序競爭，雖然行業市場繼續增長，整體盈利卻在下滑，價格戰愈演愈烈。LED芯片價格大幅度降低，有的降幅甚至達到了50%，LED材料小企業紛紛尋求并購和合作，更有甚者已經停產，準備退出這一領域。