晶科電子獲“2014-2015中國LED創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎”
摘要: 晶科電子(廣州)有限公司(以下簡稱“晶科電子”)推出的“ 倒裝焊大功率LED芯片、高壓芯片和芯片級模組技術(shù)”榮獲“2014-2015中國LED創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎”。
9月25日,由工業(yè)和信息化部指導(dǎo),中國電子報、中國半導(dǎo)體照/LED產(chǎn)業(yè)與應(yīng)用聯(lián)盟、中國光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會光電器件分會、中國光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會LED顯示應(yīng)用分會共同舉辦的“中國LED行業(yè)(2014-2015)年度評選” 頒獎典禮在北京萬壽賓館A座多功能廳隆重舉行,晶科電子(廣州)有限公司(以下簡稱“晶科電子”)推出的“ 倒裝焊大功率LED芯片、高壓芯片和芯片級模組技術(shù)”榮獲“2014-2015中國LED創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎”。
隨著LED市場應(yīng)用逐漸成熟,對LED的電壓、光效、可靠性等性能提出了更高的要求。“ 倒裝焊大功率LED芯片、高壓芯片和芯片級模組技術(shù)”主要研究基于硅集成的照明用倒裝焊大功率LED芯片、高壓芯片和芯片級模組的核心技術(shù)攻關(guān)并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。為了實現(xiàn)該目標(biāo),晶科電子通過自主創(chuàng)新,實現(xiàn)了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的1W藍光LED芯片,尺寸為1.1mm×1.1mm,在350mA電流驅(qū)動下,實現(xiàn)正向電壓Vf在2.8~3.2V,封裝后白光效率達到138lm/W;1W倒裝HV-LED芯片尺寸為1.1mm×1.1mm,在20mA電流驅(qū)動下,正向電壓48~52V,白光效率達到110lm/W;完成了倒裝大功率5W、10W模組芯片,實現(xiàn)內(nèi)部無金線互聯(lián),更高功率數(shù)可按照需要進行定制。
該技術(shù)完成后,晶科電子已經(jīng)形成了1W倒裝大功率LED芯片、倒裝高壓LED芯片、大功率芯片級模組三大系列共9款產(chǎn)品并實現(xiàn)批量化生產(chǎn)。其中,1W倒裝大功率LED芯片包括40mil、45mil和55mil這3個規(guī)格,倒裝高壓LED芯片包括45mil這1個規(guī)格,大功率芯片級模組包括5W、10W、15W、25W和40W這5個規(guī)格。除了開發(fā)形成以上系列LED芯片產(chǎn)品外,還取得了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的專利13項,其中包括美國發(fā)明專利1項、中國發(fā)明專利5項、中國實用新型專利7項。制定了企業(yè)內(nèi)部技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)3項(倒裝LED芯片綁定標(biāo)準(zhǔn),高壓LED芯片測試標(biāo)準(zhǔn),5W芯片模組成品和10W 芯片模組成品分類標(biāo)準(zhǔn))。
作為本土化且擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的LED領(lǐng)域中上游企業(yè),晶科電子始終堅持自主創(chuàng)新,并致力于解決技術(shù)轉(zhuǎn)產(chǎn)業(yè)化中出現(xiàn)的關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。晶科倒裝焊大功率LED芯片、高壓芯片和芯片級模組技術(shù)此次得以榮獲“2014-2015中國LED創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎”,是各級領(lǐng)導(dǎo)和廣大客戶對晶科電子自主研發(fā)實力和產(chǎn)品的再次肯定,這不僅對晶科進一步加強創(chuàng)新能力建設(shè),以全球視野力爭在LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破,搶占LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點具有重要的推動作用,更為晶科持續(xù)自主研發(fā)創(chuàng)造了有利條件。
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