中游封裝領域，將突出硅基LED芯片大功率方向光的技術優勢，深挖路燈、背光源、通用照明燈應用產品及汽車、家電等新的應用領域需求，重點發展硅基大功率LED封裝，力爭到2020年實現封裝營收超過200億元。器件封裝躍升工程重點項目包括鴻利光電子有限公司(鴻利光電子公司)年產162億只LED器件封裝項目(南昌)、聯創光電年產20億只各類功率型紅外監控系統用LED器件封裝項目(南昌)、江西省木林森照明有限公司(木林森子公司)年產1000億只LED發光二極管項目(吉安)。

　　下游應用領域則推動面向各領域的LED照明用品發展，爭取到2020年實現營收800億元;強調發揮硅基LED獨特優勢，全面開發汽車大燈、探照燈、手機閃光燈、全彩顯示屏和背光源等特種照明及應用產品。照明應用開發工程重點項目涉及江西省木林森光電科技有限公司(木林森子公司)年產2億套LED高效節能照明產品項目(新余)、江西陽光照明有限公司(陽光照明子公司)年產8000萬只LED高效節能照明燈具項目(鷹潭)。

　　此外，方案還要求發展相應的配套材料和關鍵設備，包括著力突破硅基LED芯片加工關鍵設備金屬有機物化學汽相沉積(MOCVD)，力爭到2020年實現營收200億元。配套能力完善工程重點項目包括江西省木林森光電科技有限公司年產800萬平米LED燈具線路板項目(新余)。

　　方案同時公布了相關保障措施，包括加大財政投入、強化金融支持、落實稅收等相關政策、完善補貼措施等。

　　硅襯底高光效GaN基藍色發光二極管簡介

　　具有節能環保意義的LED照明產業，是國內外重點發展的戰略性新興產業。國際上現有三條LED照明 技術路線，分別是藍寶石 襯底、碳化硅 襯底和硅襯底GaN基LED照明技術路線。其中，前兩條技術路線分別是以日本和美國為主發展起來的，主要貢獻者分別獲得日美 兩國最高科技 獎，藍寶石襯底技術路線的三個主要發明人還獲得了2014年度的諾貝爾 物理學獎，第三條硅襯底LED技術路線是由我國發展起來的，即為本項目發明成果。

　　第一條技術路線是目前產業界采用的主流技術路線，第二條技術路線屬于“貴族”路線，成本高昂，其襯底及LED制備技術被美國公司壟斷。藍寶石襯底技術則主要掌握在日本公司手中，成本較低，這是目前市場上的主流路線;但藍寶石晶圓散熱較差，晶體垂直生長困難很難做到大尺寸、無法制作垂直結構的器件，襯底也較難剝離。而第三條路線就是中國自主發展起來的硅襯底技術，它彌補了前兩大技術路線之不足。

　　在硅襯底上制備高光效LED一直是學術界夢寐以求的目標。然而由于硅和GaN巨大的晶格失配和熱失配導致的外延膜龜裂、晶體質量差，以及襯底不透明導致的出光效率低等問題長期未能解決，致使業界普遍認為 ，在硅上制備高光效GaN基LED是不可能的，幾乎被判“死刑”。本項目經過三千多次實驗，終于在國際上率先攻克了這一世界難題，所生產的硅襯底LED各項指標在同類研究中均處于國際領先地們，并與前兩條技術路線水平持平。在350mA下硅襯底功率型藍光LED光功率高達657mW，電光轉換效率達60%，封裝成冷白光光通量達155lm，光效達146 lm/w，50mA電流下光效達到191 lm/w。

　　襯底又稱基板，主要用于LED芯片制造過程中作為外延層生長，起支撐和固定作用。它與外延層的特性配合要求比較嚴格，否則會影響到外延層的生長，進而影響LED芯片的品質。

　　評價襯底材料要綜合考慮以下幾個因素：

　　襯底與外延膜的結構匹配

　　襯底與外延膜的熱膨脹系數匹配

　　襯底與外延膜的化學穩定性匹配

　　材料制備的難易程度及成本的高低