傳統的紫外光源一般是采用汞蒸氣放電的激發態來產生紫外線，有著功耗高、發熱量大、壽命短、反應慢、有安全隱患等諸多缺陷。新型的深紫外光源則采用發光二極管（light emitting diode: LED）發光原理，相對于傳統的汞燈擁有諸多的優點。其中最為重要優勢的在于其不含有毒汞元素。隨著《水俁公約》的實施，標志著2020年間將全面禁止含有汞元素紫外燈的使用，因此如何才能開發出一種全新的環保、高效紫外光源，成為了擺在人們面前的一項重要挑戰。

而基于寬禁帶半導體材料（GaN，AlGaN）的深紫外發光二極管（deep ultraviolet LED: DUV LED）成為了這一新應用的不二選擇。這一全固態光源體系體積小、效率高，壽命長，僅僅是拇指蓋大小的芯片，就可以發出比汞燈還要強的紫外光。這其中的奧秘主要取決于III族氮化物這一種直接帶隙半導體材料：導帶上的電子與價帶上的空穴復合，從而產生光子。而光子的能量則取決于材料的禁帶寬度，科學家們則可以通過調節AlGaN這種三元化合物中的元素組分，精密地實現不同波長的發光。然而，要想實現紫外LED的高效發光并不總是那么容易。研究者們發現，當電子和空穴復合時，并不總是一定產生光子，這一效率被稱之為內量子效率(internal quantum efficiency: IQE)。

中國科學技術大學微電子學院孫海定和龍世兵課題組和中國科學院寧波材料所郭煒和葉繼春課題組發現，為了提升紫外LED的IQE數值，可以通過AlGaN材料生長的襯底--藍寶石，也就是Al2O3的斜切角調控來實現，研究人員發現，當提高襯底的斜切角時，紫外LED內部的位錯得到明顯抑制，器件發光強度明顯提高。當斜切角襯底達到4度時，器件熒光光譜的強度提升了一個數量級，而內量子效率也達到了破紀錄的90%以上。

與傳統紫外LED結構不同的是，這一種新型結構內部的發光層--即多層量子阱（MQW）內勢阱和勢壘的厚度并不是均勻的。借助于高分辨透射電子顯微鏡，研究人員得以在微觀尺度分析僅僅只有幾納米的量子阱結構。研究表明，在襯底的臺階處，鎵（Ga）原子會出現聚集現象，這導致了局部的能帶變窄，并且隨著薄膜的生長，富Ga和富Al的區域會一直延伸至DUV LED的表面，并且在三維空間內出現扭曲、彎折，形成三維的多量子阱結構。

研究者們稱這一特殊的現象為：Al，Ga元素的相分離和載流子局域化現象。值得指出的是，在銦鎵氮（InGaN）基的藍光LED體系中，In由于和Ga并不100%互溶，導致材料內部出現富In和富Ga的區域，從而產生局域態，促進的載流子的輻射復合。但在AlGaN材料體系中，Al和Ga的相分離卻很少見到。而此工作的重要意義之一就在于人為調節材料的生長模式，促進相分離，并因此大大改善了器件的發光特性。

通過在4度斜切角襯底上優化外延生長調節，研究人員摸索到了一種最佳的DUV LED結構。該結構的載流子壽命超過了1.60 ns，而傳統器件中這一數值一般都低于1ns。進一步測試芯片的發光功率，科研人員發現其紫外發光功率比傳統基于0.2度斜切角襯底的器件強2倍之多。這更加確信無疑地證明了，AlGaN材料可以實現有效的相分離和載流子局域化現象。除此之外，實驗人員還通過理論計算模擬了AlGaN 多量子阱內部的相分離現象以及勢阱、勢壘厚度不均一性對發光強度和波長的影響，理論計算與實驗實現了十分吻合。

該研究成果同時得到了華中科技大學戴江南和陳長清教授，河北工業大學張紫輝教授，沙特阿卜杜拉國王科技大學Boon Ooi和Iman Roqan教授等聯合攻關完成。研究者相信，此項研究將會為高效率的全固態紫外光源的研發提供新的思路。這種思路無需昂貴的圖形化襯底，也不需要復雜的外延生長工藝。而僅僅依靠襯底的斜切角的調控和外延生長參數的匹配和優化，就有望將紫外LED的發光特性提高到與藍光LED相媲美的高度，為高功率深紫外LED的大規模應用奠定實驗和理論基礎。相關結果以“Unambiguously Enhanced Ultraviolet Luminescence of AlGaN Wavy Quantum Well Structures Grown on Large Misoriented Sapphire Substrate”為題，在線發表在Advanced Functional Materials上（DOI: 10.1002/adfm.201905445）。