日前,國星光電發布公告宣布全資子公司佛山市國星半導體技術有限公司(以下簡稱“國星半導體”)收到國家知識產權局頒發的3項發明專利證書。
公告顯示,3項發明專利證書分別為:一種垂直結構LED芯片的制造方法、一種去除DBR膜層的制作方法以及一種高亮度LED芯片及其制作方法,專利期限均為20年。
來源:公司公告
國星光電表示,上述發明專利的取得不會對公司及國星半導體近期生產經營產生重大影響,但有利于國星半導體進一步完善知識產權保護體系,形成持續創新機制,提升核心競爭力。
摘要: 日前,國星光電發布公告宣布全資子公司佛山市國星半導體技術有限公司(以下簡稱“國星半導體”)收到國家知識產權局頒發的3項發明專利證書。
日前,國星光電發布公告宣布全資子公司佛山市國星半導體技術有限公司(以下簡稱“國星半導體”)收到國家知識產權局頒發的3項發明專利證書。
公告顯示,3項發明專利證書分別為:一種垂直結構LED芯片的制造方法、一種去除DBR膜層的制作方法以及一種高亮度LED芯片及其制作方法,專利期限均為20年。
來源:公司公告
國星光電表示,上述發明專利的取得不會對公司及國星半導體近期生產經營產生重大影響,但有利于國星半導體進一步完善知識產權保護體系,形成持續創新機制,提升核心競爭力。