英國謝菲爾德大學研究學者發表了其在Micro LED領域的最新研究成果，開創出新的綠光InGaN Micro LED制造方法，能夠實現高亮度及高密度的Micro LED陣列。
當前的綠光InGaN Micro LEDs多是通過結合標準化的光刻技術以及相應的干蝕刻，破壞LED表面所制造而成。而在此最新制程中，InGaN則是直接長在已經設定好的微小化圖案陣列中，以極薄的SiO2層作為晶圓片上的GaN模板。
學者采用有機金屬化學氣相沉積法來制造生長于單一微型洞孔里的Micro LED。這些微型洞孔讓每個Micro LED能夠自然產生表面鈍化，簡化制造過程。所有陣列中的Micro LED都共享一個N極接觸面，而所有的P極接觸面則都是開放的，能分別連接或在大面積上連接。
該研究團隊制造出數以千計，尺寸只有3.6μm的Micro LED在0.1平方毫米的表面上，而單一3.6μm的Micro LED能夠以超低的0.3μA電流點亮。使用這種Micro LED完成的640×480像素顯示器，則只需要0.23W電源即可運作。
