新世紀LED網訊 — 碳化硅功率器件領域的市場領先者 Cree 公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出最新Z-Rec™650V 結型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數據中心電源系統要求。新型 JBS 二極管的阻斷電壓為 650V，能夠滿足近期數據中心電源架構修改的要求。據行業咨詢專家估算，這樣可以將能效提高多達 5% 。由于數據中心的耗電量幾乎占全球年耗電量的 10%，任何水平的能效提升都會有助于大幅降低總體能耗。

　　常規開關電源一般輸入電壓范圍為 90V~264V，可以支持世界各地的各種交流輸入電源。現有的數據中心電源架構一般采用本地供電單位提供的三相/480V電源。三相/480V電源經電力變壓器降壓為三相/208V 電源，并經進一步處理后作為服務器電源的輸入電源。由于變壓器的損耗，這種做法會降低總效率。

　　近期數據中心電源系統的發展趨勢要求取消 480V 到 208V 的降壓過程，以提高數據中心的總效率。現在服務器電源有望直接從三相/480V 相電壓獲得90V~305V更寬泛的通用線電壓(277V+10% 的安全范圍)，而不再從三相/208V相電壓獲得 120V 交流電壓。這種架構無需使用降壓變壓器，也就避免了相關的能耗及成本支出。

　　要讓具有 90V~305V寬泛輸入電壓范圍的服務器電源系統理想運行，就要求像肖特基二極管這樣的功率器件具有高至 650V 的最大阻斷電壓。Cree 最新推出的 650V 額定器件為設計人員設計先進的數據中心和通信設備電源系統時提供了理想的解決方案。Cree的新款 Z-Rec 碳化硅二極管不僅提供了這些先進電源系統需要的 650V 阻斷電壓，而且與硅器件相比還能夠消除反向恢復損耗，進一步降低能耗。

　　Cree 電源與射頻部副總裁兼總經理 Cengiz Balkas 解釋說：“碳化硅技術對開發新一代先進的高能效數據中心電源系統設計至關重要，因為它基本上消除了二極管的開關損耗。眾所周知，開關損耗是導致傳統硅器件低能效的主要原因，因此采用碳化硅器件取代硅器件可以將電源的功率因數校正級的效率提升 2 個百分點，從而與單純的架構修改相比，能夠帶來更大的總效率提升。”

　　C3DXX065A 系列是 650V Z-Rec 肖特基二極管系列的首批產品，提供 4A、6 A、8 A 和10 A四種規格，均采用 TO-220-2 封裝。所有器件的額定工作溫度范圍為 -55°C ~ +175°C。

　　C3DXX065A 系列器件已經通過全面認證。

　本文鏈接地址：http://www.ledth.com/news/2011111/n57183572.html