Veeco發表用于生產HB LED的MaxBright? GaN MOCVD
摘要： 近日，世界級MOCVD廠商-Veeco宣布：其引進的TurboDisc ? MaxBright?氮化鎵(GaN)有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)多反應器系統，用于生產HB-LED。
日前，Veeco宣布，其引進的TurboDisc ® MaxBright™氮化鎵(GaN)有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD)多反應器系統，用于生產HB LED。
Veeco介紹，MaxBright利用Veeco的FlowFlange ®集群架構自動化技術和專業知識在一個模塊化的兩個或四個反應器通過組合多個、新、高通量金屬有機化學氣相沉積反應器。
該MaxBright反應堆，在K465i的基礎上經過生產驗證，既要擴大晶圓的生產能力和先進、專有的、封閉循環熱控技術，同時擴大-均勻性、重復性和材料的質量。MaxBright MOCVD系統可提供生產能力達216 × 2，56 × 4，24 × 6或12 × 8晶圓。此外，無縫轉移K465i配方MaxBright能使客戶實現快速生產。
同時，Veeco相關人士指出，“MaxBright的價值主張是明確的：它是最高的生產力MOCVD系統制造高亮度LED市場上。該架構支持單腔或多腔層的生長能力，提高LED結構過程的靈活性高要求。 MaxBright的緊湊型架構還允許一個獨立的金屬有機化學氣相沉積系統足跡效率增益高達2.5倍。總體而言，MaxBright提供了500%的增值比較緊湊封裝的K465i以靈活的。”
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