世界首家“全SiC”功率模塊開始量產
摘要： 日本知名半導體制造商羅姆株式會社推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產。該產品的內置功率半導體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構成。開關損耗降低85%，大幅減少了工業設備等的功率損耗。
【新世紀LED網訊】日本知名半導體制造商羅姆株式會社推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產。該產品的內置功率半導體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構成。
此產品安裝在工業設備和太陽能電池等中負責電力轉換的變頻器、轉換器上，與普通的Si(硅)材質的IGBT模塊相比，具備以下優勢，有效解決了世界能源和資源等地球環境問題。
●開關損耗降低85%
●與傳統的400A級別的Si-IGBT模塊相替換時，體積減小約50%
●損耗低，因此發熱少，可減小冷卻裝置體積，從而可實現設備整體的小型化
本產品計劃在羅姆總部工廠(京都市)從3月份下旬開始量產、出貨。
近年來，在工業設備和太陽能電池、電動汽車、鐵路等電力電子技術領域，與Si元件相比，電力轉換時損耗少、材料性能卓越的SiC元件/模塊的實際應用備受期待。
根據估算，將傳統的Si半導體全部替換為SiC后的節能效果，僅在日本國內就相當于4座核電站的發電量，因此，各公司都已強化了相關研究開發。在這種背景下，羅姆于2010年在世界上率先成功實現了SiC-SBD和SiC-MOSFET兩種SiC元件的量產，在行業中遙遙領先。
與此同時，關于“全SiC”模塊，即所內置的功率元件全部將Si替換為SiC，多年來，雖然全世界的制造商多方試制，但在可靠性上存在諸多課題，一直無法實現量產。
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