3) 正向電壓降低70%以上，減少了損耗和部件個數

　　SiC-MOSFET的體二極管，在SiC物質特性的原理上決定了其開啟電壓較大，高達2.5V以上，常常成為逆變器工作時的損耗。“SCH2080KE”集SiC-SBD與SiC-MOSFET于同一封裝內，大大降低了正向電壓。不僅損耗更低，還可減少部件個數。

　　4) 無尾電流，可進行低損耗開關

　　由于不會產生Si-IGBT中常見的尾電流，因此關斷時的開關損耗可減少90%，有助于設備更加節(jié)能。另外，達到了Si-IGBT無法達到的50kHz以上的開關頻率，因此，可實現外圍設備的小型化、輕量化。

　　【術語解說】

　　體二極管(Body diode)

　　MOSFET的結構中，寄生于內部而形成的二極管。逆變器工作時，電流經過此二極管，因此要求具備低VF值和高速恢復特性。

　　尾電流(Tail current)

　　IGBT中的關斷時流過的瞬態(tài)電流。因空穴注入的積累時間而產生。此期間內需要較高的漏極電壓，因此產生較大的開關損耗。

　　IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor：絕緣柵雙極晶體管)

　　不僅電子，不同的空穴，電流流經而實現低導通電阻的功率晶體管。因空穴注入的積累時間無法高速動作，具有開關損耗較大的問題。

　　正向電壓(VF　：Forward Voltage)

　　正向電流流經時二極管產生的電壓值。數值越小耗電量越小。

　　導通電阻

　　功率元件工作時的電阻值。這是影響功率MOSFET性能的最重要的參數，數值越小性能越高。