能效躍至72% 歐司朗紅外薄膜芯片原型再創新高
摘要: 歐司朗光電半導的紅外線芯片原型產品創新紀錄,效率最高可達72%。在實驗室條件下,1A操作電流下的輸出約為930 mW,這芯片的光輸出比市面上目前可得的芯片高約25%,這表示,未來的紅外線LED省電效率將會更高。
歐司朗光電半導的紅外線芯片原型產品創新紀錄,效率最高可達72%。在實驗室條件下,1A操作電流下的輸出約為930 mW,這芯片的光輸出比市面上目前可得的芯片高約25%,這表示,未來的紅外線LED省電效率將會更高。
這項由雷根斯堡研發實驗室得出的成果,創造了新的里程碑。芯片的波長為850 nm,以紅外線薄膜芯片技術制成的1 mm2芯片,在100 mA的操作電流下的效率可達72%。這種效率稱為功率轉換效率(wall plug efficiency,簡稱WPE),指的是輻射功率轉換成電輸出功率的效率。
外部量子效率(external quantum efficiency,簡稱EQE),也就是從每個電子中創造出光子以及從LED芯片發射出來的機率,最高可高達67%,在最高1A 操作電流下也高于64%。如下圖所示。
這個芯片原型產品的波長為850 nm,比較適合紅外線照明,尤其是用于監視以及閉路電視攝影機之用。這也可以用在某些極具潛力的汽車安全裝置上,例如防碰撞感應器以及夜視系統的照明光源。
歐司朗光電半導體雷根斯堡總部的IRED開發專案經理 Markus Bröll 指出:“提高效率與亮度的作法,可以從850 nm 轉移到其他的波長上去。這代表紅外線照明未來很可能創造出省電效率更高的解決方案。”不僅如此,在多芯片應用所需要的元件將會更少,這可以省錢及節能。預計新的芯片會在明年初與明年中之間加入系列化產品。
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