近日，廣東深圳市捷佳偉創新能源裝備股份有限公司，成功開發了國內首臺專用于大規模高質量ZnO半導體透明導電薄膜材料生長的量產型MOCVD設備。

　　ZnO生長設備主要為MBE、MOCVD、濺射機和PLD等小型研究性設備，生產成本比較高，其中，采用MOCVD設備成膜速度快、大面積、均勻、多片一次生長、符合產業化的發展要求。但是，目前利用量產型MOCVD設備大規模生產ZnO透明電極的方法，在國內甚至是整個LED業界還是空白。

　　捷佳偉創稱其與中山大學佛山研究院合作開發的量產型MOCVD設備，利用該設備制備的ZnO基透明導電薄膜可用于制作超高亮LED芯片的透明電極以增強出光效率，目前已有成套技術可規模生產制備封裝后發光光效達到130lm/w以上大功率高亮度照明級的GaN基外延片和各種尺寸的發光二極管芯片，應用于下游LED室內外照明產品，將有助于LED制造企業提高產品質量、降低產品價格，對LED產業示范推廣工程的順利開展以及LED加速進入民用照明具有重大意義。

　　目前關于ZnO的專利主要集中在ZnO透明導電薄膜在光電子器件和太陽能電池中的應用領域。ZnO作為LED的透明電極，大多數專利集中在通過表面處理和工藝技術來改良歐姆接觸界面性能和通過外延生長改良p型材料表面以提高隧穿幾率這兩方面，但是MOCVD制備大規模ZnO材料的專利還比較少。

　　捷佳偉創公司是一家光伏設備及綠色能源產業專用設備制造商，一直關注國內外MOCVD技術發展，部分參與項目研發人員曾從事過較長時間的十五“863”攻 關項目GaN-MOCVD設備6片機的研究，承擔了其心臟部分反應器的攻關研制，獲得了中試驗證，并受到了科技部領導的鼓勵。為了拓展公司在LED照明等 光電行業方面的應用市場，捷佳偉創不停地在尋找光電方面的合作伙伴。