據(jù)報道，德國半導體制造商Azzurro展示了‘1-bin’波長的LED晶圓，該技術(shù)可以做到少于3nm波長一致性生產(chǎn)數(shù)值，并在開發(fā)中得到1nm的結(jié)果。該公司表示，該破紀錄的1nm成功表明AZZURRO的技術(shù)有能力做出‘1 bin’硅基氮化鎵LED晶圓。

　　AZZURRO表示，硅基氮化鎵晶圓的亮度和效率已經(jīng)可以解決，但產(chǎn)量的問題至今仍無定論。氮化鎵與硅之間的巨大晶格失配和熱膨脹系數(shù)導致LED晶圓在生長過程中會出現(xiàn)高度的翹曲問題。這會對波長、前向電壓和輸出功率產(chǎn)生不良影響。AZZURRO采用其恰當?shù)奶赜袑＠膽?yīng)變工程技術(shù)和生長技術(shù)來克服這些障礙。

　　AZZURRO的突破性成果包括：波長<3nm或0.6%、前向電壓為1.3%以及輸出功率為3.9%，從而極大地省去binning工序。同時，它還發(fā)布了超高晶體質(zhì)量的直徑為150nm的藍光硅基氮化鎵LED晶圓。與此同時，同樣令人印象深刻的200mm的LED晶圓顯示了該公司技術(shù)的可擴展性。

　　Azzurro最新的生產(chǎn)和發(fā)展成果清楚地證明，除了成本較低的基板和采用標準硅晶圓制作LED芯片等成本優(yōu)勢外，基于應(yīng)變工程技術(shù)的硅基氮化鎵LED晶圓還可以幫助減少binning。

　　該公司的聯(lián)合創(chuàng)始人兼CMO，Alexander Loesing，也是LED技術(shù)業(yè)務(wù)部的領(lǐng)導人，評論說：“我們?yōu)閳F隊所取得的1.0nm的成就感到非常自豪。這些結(jié)果證明了我們的GaN-on-Si技術(shù)讓LED行業(yè)離生產(chǎn)“1 bin”LED晶圓的目標更近。”