飛兆半導體推出全新中壓MOSFET采用空間節省型封裝可優化電能應用
摘要： 2014年2月13日，許多終端應用——比如IP電話、電機控制電路、有源鉗位開關和負載開關——需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便滿足制造商的要求。飛兆半導體開發了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench? MOSFET，在尺寸減小的同時可實現卓越的開關速度和功耗性能。
2014年2月13日，許多終端應用——比如IP電話、電機控制電路、有源鉗位開關和負載開關–需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便滿足制造商的要求。飛兆半導體開發了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench® MOSFET，在尺寸減小的同時可實現卓越的開關速度和功耗性能。
該系列包括FDMC86261P 150 V和FDMC86139P 100 V P溝道MOSFET。與競爭對手的器件相比，這類P溝道MOSFET具有更好的開關性能品質因數(FOM)，比競爭對手提供的最佳器件還要高出67%。此外，其導通損耗減小了46%，開關損耗減小了38%。因此，設計人員能夠縮小尺寸并提高系統整體性能。
相比競爭對手提供的5mmx6mm封裝解決方案，該系列器件采用3mmx3mm MLP封裝，可節省電路板空間。此外，FDMC86xxxP系列可滿足客戶對于耗散更少功率實現更高能效的更低熱特性需求。該器件還具有同尺寸器件中最低的導通電阻RDS(ON)。
飛兆半導體低壓產品營銷總監Mike Speed表示：“眾所周知，傳統產品因功耗高而效率低下，不適用于如今的電源和電機控制電路。客戶如果轉而采用FDMC86xxxP系列器件，那么在其應用中就能使功耗降低多達50%，從而提升系統整體性能，并降低其終端產品中的能耗，有助于節省全球資源。”
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