項目名稱：

　　汽車燈燈珠GD

　　申報單位：

　　江西省晶瑞光電有限公司

　　綜合介紹或申報理由：

　　GD是目前最細的照明級LED，封裝尺寸1.6 x 1.6 x 1.0mm。最大輸出功率2W。采用晶能最新開發35mil硅垂直結構LED芯片進行封裝，提高產品可靠性,小尺寸光源可使照明設計更加靈活。

　　主要技術參數：

　　產品特點：1. 硅垂直結構芯片，散熱性能好，擁有自主知識產權；

　　2. 單面發光，光形好，適合于指向性照明；

　　3. 最大驅動電流700mA；

　　4. 視角發光角度：115°；

　　5. 可實現高流明密度；

　　6. 小尺寸，照明設計更靈活；

　　7. 支持SMT貼片.

　　驅動功率1~2W；

　　色溫6000~6500K；

　　發光角度115°；

　　700ma電流下可達160lm

　　應用范圍：汽車燈模組、平板燈，室內照明

　　與國內外同類產品或同類技術的比較情況：

　　1、電流分布更均勻，可用大電流驅動。
　　2、硅襯底比藍寶石襯底散熱好。
　　3、具有朗伯發光形貌，白光出光均勻，容易二次配光。

　　4、打線少，可靠性高。

　　5、硅基LED芯片單面出光，且分布均勻，適合于指向性照明，如汽車燈

　　經濟評價分析：

　　使用1616小尺寸封裝，小尺寸大功率，實現高流明密度，單位價格上光通量優勢明顯。

　　技術及工藝創新要點：

　　1.結合陶瓷基板封裝，提升產品散熱性能；

　　2.1616小尺寸設計，使光學設計更加靈活；

　　3.晶能光電新一代硅襯底GaN基LED芯片除了采用了傳統垂直結構芯片的技術之外，還有一個關鍵技術及創新點即通孔Via，通孔可以使N型金屬嵌入LED芯片內部。因此量子阱發光區（MQW）向芯片外部的發光不會再受到N電極的阻擋，這樣就可以提高芯片對光的提取效率。

　　傳統的垂直結構芯片中N型金屬設計為一些電極線（格柵），電流通過電極線往N-GaN的表面傳輸，這樣一定會造成越靠近電極線附近的區域其電流密度越大，造成電流擁堵，從而降低發光效率（Droop效應）。而新一代硅襯底GaN基大功率LED芯片的N型金屬通過通孔Via與N-GaN進行接觸，所有通孔Via中的N型金屬都連接于芯片的基板。由于通孔均勻地分布在芯片內部，這樣電流也就均一地分布在N-GaN之中。由于消除了電流擁堵現象，因此可以緩解Droop效應，提高光效。

　　實際運用案例和用戶評價意見：

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　　獲獎、專利情況：

　　申報單位介紹：

　　江西省晶瑞光電有限公司是由留美半導體照明技術專家陳振博士率領團隊創立，專注大功率LED封裝的高新技術企業。公司擁有國際領先的大功率LED陶瓷共晶封裝技術，運用高效率的陶瓷共晶、靜電噴涂和精密設計的光學lens等技術，解決了熱電傳導、熒光粉涂覆和二次配光等難點，實現了大功率LED芯片的高光效封裝。公司創新開發的全系列產品，采用了全球領先的硅基垂直結構LED芯片和倒裝LED芯片，結合公司先進的封裝技術，嚴格執行歐美國家老化測試標準，具有高亮度、高可靠性、低熱阻、耐大電流等優點，適用于路燈、隧道燈、汽車前大燈以及手機閃光燈等高端照明。

　　產品圖片：