長期以來，當半導體的材料越薄，對電子、光電元件的效能越有不良影響，不過，臺大跨國團隊研發獨步全球的零缺陷半導體材料，透過“修復缺陷”的方法，將可提升LED發光效能100倍，已刊登在《Science》期刊。

　　這項研究是由加州大學柏克萊分校教授Ali Javey、阿拉伯阿卜杜拉國王科技大學教授何志浩、前臺大校長李嗣涔、臺大博士連德軒等人合作，將二維材料浸于有機超強酸中，可讓單層薄膜達到“零缺陷”，大幅提高發光效率。

　　臺大研發團隊說明，二維半導體材料具有特殊的電子傳導、光學、機械特性，可整合在現今半導體元件制程，被視為具有很大的潛力可以取代傳統矽材元件，其中二硫化鉬(MoS2) 是最熱門的半導體二維材料之一，不過，以目前的合成制備技術，二維材料的缺陷密度仍然偏高。

　　跨國研究團隊經過長期研究，發現將二硫化鉬(MoS2)材料浸潤在亞胺(bistriflimide)的有機超強酸中，可大幅提高二維材料的量子效率，可以從不到1%增加到接近100%，為電晶體帶來革命性改變。

　　這項技術未來可望應用于開發透明的LED顯示器、超高效太陽能電池、高靈敏度的光偵測器，以及低功耗的奈米級電晶體。

　　本研究的共同第一作者連德軒，是臺灣本土培育有成的年輕博士，在今年首次拿到國際電子半導體學會IEEE頒發的獎學金，剛完成博士口試，本學期即將畢業，而且他撰寫的論文也是臺大第一篇被選進VLSI technology會議發表的論文，被選為焦點文章，受到30個國際媒體報導。

　　目前連德軒已在加州柏克萊大學執行科技部第2年的龍門計劃，畢業后將繼續在加州大學柏克萊分校繼續擔任博士后研究員。