項目名稱：

UV/白光組合閃光燈

申報單位：

晶能光電（江西）有限公司

綜合介紹或申報理由：

UV/白光組合閃光燈采用了具有自主知識產權的硅襯底藍光和硅襯底紫外芯片，創新的合二為一的封裝結構節約了手機內部空間，搭配一個透鏡使得手機閃光燈同時具有照明和驗鈔的功能。產品采用垂直LED芯片結構，熱電分離，提高了出光效率，同時采用大功率陶瓷封裝和貼膜技術，產品亮度高、拍攝效果佳、驗鈔適用范圍廣、可靠性好、合二為一的封裝結構外形美觀。

主要技術參數：

Coold White：

---Luminous：250lm@1000mA

---CCT：5500K±250K

UV：

---200mw@300mA

---Thermal Resistance:10K/W

---Viewing Angle:120

與國內外同類產品或同類技術的比較情況：

市面上有過增加UV驗鈔功能的手機產品，但其方案都是單獨UVLED，同時在手機上增加開孔及lens，這樣手機外觀受很大影響，不美觀。

晶能的FWUV產品可以實現，在對外觀無任何影響的情況下，只通過更換成二合一LED即可為手機增加驗鈔功能。

經濟評價分析：

使用該二合一LED方案手機閃光燈產品亮度高、拍攝效果佳、驗鈔適用范圍廣、可靠性好，性價比優勢明顯。

技術及工藝創新要點：

1.將白光與UV做成二合一產品。

2.白光與UV可以共用同一Fresnel透鏡。

白光Flash：

UV功能：

用戶證明：

獲獎、專利情況：

*此二合一LED方案已經申請了國家專利，專利申請受理通知書見下圖：

申報單位介紹：

晶能光電有限公司成立于2006年2月，是由金沙江創投、亞太資源、Mayfield、淡馬錫等多家著名的投資機構共同投資，專門從事LED外延材料與芯片生產的高科技企業，目前注冊資金12300萬美元。 晶能光電擁有的硅襯底氮化鎵基LED材料與器件技術是一項改寫半導體照明歷史的顛覆性新技術，國家863專家組對此項技術的評價是：“……打破了目前日本日亞公司壟斷藍寶石襯底和美國Cree公司壟斷碳化硅襯底半導體照明技術的局面，形成了藍寶石、碳化硅、硅襯底半導體照明技術方案三足鼎立的局面。” 硅襯底LED技術是LED行業夢寐以求的技術路線。相較于另外兩條LED照明技術路線，硅襯底技術優勢明顯，主要表現在：襯底材料成本低；器件散熱性好、壽命長；封裝工藝簡單，易于實現自動化生產；可用于大尺寸外延，提高生產效率，降低綜合成本。硅襯底LED技術已成為全球第三條藍光LED技術路線，具有原創自主知識產權，圍繞硅襯底LED技術已經申請或擁有國際國內專利330多項，已授權專利147項，其中國際專利47項。 晶能光電于全球率先實現硅襯底LED芯片的產業化，是全球硅襯底LED技術的主導者。2014年8月美國能源部《固態照明研究與發展制造藍圖報告》中明確寫道：“晶能光電是硅襯底LED技術的最早實踐者，并在2012年6月開始量產硅襯底氮化鎵LED裸芯”。 目前，晶能光電生產的硅襯底LED芯片具有如下三大優勢：（一）具有原創技術產權：產品可銷往國際市場，不受國際專利限制；（二）具有優良的性能：器件散熱好、產品抗靜電性能好，壽命長，可承受的電流密度高；（三）器件封裝工藝簡單：芯片為上下電極，單引線垂直結構，簡化了封裝工藝，節約了封裝成本；（四）在方向光和光品質等方面具有明顯的特點和優勢。目前硅襯底LED芯片被廣泛應用于LED戶外照明、車用照明、手機閃光燈、電視背光等多個領域。 晶能光電在LED領域的自主創新能力，使其2010年至2012年連續三年被美國清潔能源機構評為“全球清潔技術100強企業”、2011年被權威的美國麻省理工大學《科技創業》雜志評為年度“全球最具創新力企業50強”、2012年硅大功率LED芯片量產被國際半導體聯盟ISA評為“2012年度新聞事件”、2012年獲得國家工信部第12屆信息產業重大技術發明獎、2014年獲得LED業奧斯卡獎——阿拉丁神燈獎十大產品獎等諸多榮譽和獎項。 圍繞硅襯底LED技術，以晶能光電為龍頭，已形成12家企業的產業集群，覆蓋了外延-芯片-封裝-應用的硅襯底LED全產業鏈。產業鏈上下游技術開發協同，并實現互相帶動的市場效應。 晶能光電具有卓越的創業團隊，引進美國和韓國等科學家十多人，其中三人入選中組部“千人計劃”。團隊承擔了多項國家863計劃、電子發展基金項目、以及國家重大產業化項目等重大項目。同時，晶能光電是科技部批復的國家硅基LED工程技術研發中心的產業化基地。 晶能光電是國家創新體系建設的受益者，得到了黨和政府的大力支持，黨和國家領導人習近平、張德江、王岐山、吳官正、李長春、賀國強、劉延東、孫春蘭、萬鋼、徐紹史、苗圩、田力普等領導先后蒞臨公司視察指導，對晶能光電堅持走自主創新之路取得的成績給予了充分肯定。

產品圖片：