日前，LED光電巨頭歐司朗宣布，公司通過優化外延工藝，可以大大減少LED芯片的Droop效應，使LED的量子效率在電流密度為每平方毫米3安(3A/mm2)的條件下相比以往提高7.5%。從而獲得LED性能上的提升，極大改善了高功率LED的發光效率。

　　歐司朗光電克服Droop效應大大提升高功率LED效率

　　據悉，LED的Droop效應是指向芯片輸入較大電力時LED的光效反而會降低的現象。Droop效應決定了單個LED所能工作的最大電流，因而要實現大光通量必須采用多顆LED或多芯片，或者通過采用增加芯片面積的方式而減少電流密度的方法，這就會導致高功率LED器件的成本大幅增加。在LED業界和學術界，Droop效應一直是大家爭相研究和攻克的技術難題。

　　歐司朗表示，目前公司的工程師已經克服了這個難題，實現了LED器件效率的顯著提高。在實驗室條件下，歐司朗驗證了在每平方毫米3安(3A/mm2)的電流密度下，可實現LEDQFN封裝芯片的典型光通量為740流明，這樣的表現比以往的典型值(6200K，CX0.319，Cy0.323，單芯片版本LDxyz)提高了約7.5%。同時在每平方毫米0.35安(0.35A/mm2)的低電流密度下，優化后的LED仍然有4%的效率提高。

　　“通過對LED外延片的大范圍修訂和完善，我們已經能夠大幅減少LED芯片的Droop現象?！表椖拷浝鞟lexanderFrey博士表示，目前公司所有的LED器件都采用了基于UX：3芯片技術的新工藝。歐司朗光電表示，新工藝也將對其它大功率LED產品產生積極的影響。目前公司有計劃將新的技術成果一步步集成到現有的產品組合當中。