深度評測:挖掘藍海市場 紅外芯片性能能否堪當大任
摘要: 晶元光電持續熱推的型號ES-SASFPN42D紅外芯片產品,曾“創下全世界發光效率最高的實驗室紀錄”而引發關注,最近我們拿到20個該型號樣品,為一探究竟,我們將樣品納入這一期的測試與評估。并特別邀請佛山市香港科技大學LED-FPD工程技術研究開發中心作為第三方檢測機構對樣品參數和性能進行檢測。
伏安特性曲線
隨機抽取 5 個樣品進行伏安特性測試,結果如圖 4 所示。
圖4 伏安特性曲線
LED的性能可用其伏安特性來描述。圖中曲線反映了電壓與電流變化的關系,在施加正向電壓較小時,電流變化也很小,幾乎為零,當超過1.2V時,隨著電壓升高,電流迅速增大,變化幅度加大,呈指數曲線關系,達到1.5V電壓狀態下,工作電流達到350mA。
當超過“死區電壓”之后,電壓變化很小的情況下,電流變化很大。業界一般認為,大功率LED工作電流為350mA,在需要進行恒流電路供電的狀態下應該考慮LED的過電流問題。當然,從曲線來看,樣品在一定電壓范圍內,電流處于工作范圍內,這對于LED的降低功耗和減少老化周期具有相當意義。
光色電性能的溫度變化特性
在遠方 0.3m 積分球的基礎上配備專用水冷控溫夾具(圖 5),可測試樣品在不同溫度下的光色電參數的變化。該測評產品的光色電參數結果如圖 6~圖 9 所示。
圖5 0.3m 積分球(配有專用水冷控溫夾具)
1)正向電壓-溫度變化特性(@ 350mA)
圖6 正向電壓-溫度變化曲線
2)輻射功率維持率-溫度變化特性(@ 350mA):
圖7 輻射功率維持率-溫度變化曲線
3)電光轉換效率-溫度變化特性(@ 350mA):
圖8 電光轉換效率-溫度變化曲線
4)峰值波長及半波寬-溫度變化特性(@ 350mA):
圖9 峰值波長及半波寬-溫度變化特性
由圖 7 與圖 9 可以看出,該款產品在 20℃到 80℃的溫度變化下,輻射功率衰減了9%左右,衰減率約為 0.15%/℃;峰值波長隨溫度升高產生紅移,變化率約為 0.23 nm/℃。
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