光通量提高至約1.4倍的光子晶體GaN類LED
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上傳人：大久保聰 上傳時間： 2008-10-04 瀏覽次數： 152 |
在整個LED表面上，以1000nm間距設置了直徑800nm、深750nm的小孔，形成了光子晶體結構。順向電流為20mA，施加+3.8V電壓時的光通量為1.41lm。而不采用光子晶體結構時，施加相同的電壓時光通量僅為0.99lm。LED的芯片尺寸為寬0.35mm×長0.7mm×厚0.1mm。其中光子結晶部分的尺寸為0.2mm×0.2mm。
不采用光子晶體結構時的發光波長為520.5nm，通過采用該結構發光波長縮短了10nm左右。這是因為采用光子晶體結構的LED，發光層內出現了電流集中區域，受其影響發光波長向短波長方向偏移。
此次的光子晶體結構是對嵌入了LED結構的4英寸（100mm）底板（底板材料為藍寶石）的表面進行電子光束照射加工而成的。加工后，從底板上切割芯片。通過優化小孔的直徑、深度及間距，理論上可將光通量提高至2倍。
為在09年度實現實用化，阿爾卑斯正在推進開發。將采購嵌有LED結構的底板，然后在底板上嵌入光子晶體結構。該公司打算首先加工發光效率公認較低的綠色LED，以提高亮度作為賣點推出產品。
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