OLED 器件制作包括：

　　ITO/Cr 玻璃清洗——→光刻——→再清洗——→前處理——→真空蒸發(fā)多層有機(jī)層(4-5 層)——→真空蒸發(fā)背電極——→真空蒸發(fā)保護(hù)層——→封裝——→切割——→測(cè)試——→模塊組裝——→產(chǎn)品檢驗(yàn)、老化實(shí)驗(yàn)以及QC 抽檢工序

　　ITO 的洗凈及表面處理

　　作為陽(yáng)極的ITO 表面狀態(tài)好壞直接影響空穴的注入和與有機(jī)薄膜層間的界面電子狀態(tài)及有機(jī)材料的成膜性。如果ITO 表面不清潔，其表面自由能變小，從而導(dǎo)致蒸鍍?cè)谏厦娴目昭▊鬏敳牧习l(fā)生凝聚、成膜不均勻。通常先對(duì)ITO 表面用濕法處理，即用洗滌劑清洗，再用乙醇，丙酮及超聲波清洗或用有機(jī)溶劑的蒸汽洗滌，后用紅外燈烘干。洗凈后對(duì)ITO表面進(jìn)行活化處理，使ITO 表面層含氧量增加，以提高ITO 表面的功函數(shù)，也可以用過(guò)氧化氫處理ITO 表面，用比例為水：雙氧水：氨水=5：1：1 的混合溶液處理后,使OLED 器件亮度提高一個(gè)數(shù)量級(jí)。因?yàn)檫^(guò)氧化氫處理會(huì)使ITO 表面過(guò)剩的錫含量減少而氧的比例增加，使ITO 表面的功函數(shù)增加從而增加空穴注入的幾率。紫外線-臭氧和等離子表面處理

　　是目前制作OLED 器件常用的兩種方法，主要目的是：

　　1.去除ITO 表面殘留的有機(jī)物。

　　2.促使ITO 表面氧化增加ITO 表面的功函數(shù)。

　　經(jīng)過(guò)脫脂處理表面處理后的ITO 表面的功函數(shù)約為4.6 eV,經(jīng)過(guò)紫外線-臭氧或等離子表面處理過(guò)的ITO 表面的功函數(shù)約為5.0 eV 以上，發(fā)光效率及工作壽命都會(huì)得到提高。在對(duì)ITO 玻璃進(jìn)行表面處理是一定要在干燥的真空操作條件下進(jìn)行，處理過(guò)的ITO 玻璃不要在空氣中放置太久，否則ITO 玻璃就會(huì)失去活性。基板的平坦度對(duì)有機(jī)薄膜的型態(tài)(morphology)也有關(guān)鍵性的影響，由于與有機(jī)薄膜接觸的表面粗糙度對(duì)表面型態(tài)有顯著的影響，因此在絕緣層及金屬極的制作就需要選擇平整的制作過(guò)程。

　　有機(jī)薄膜蒸鍍工藝

　　OLED 器件在高真空腔室中蒸鍍多層有機(jī)材料薄膜，膜的質(zhì)量是關(guān)系到器件質(zhì)量和壽命的關(guān)鍵。在真空腔室中有多個(gè)加熱舟蒸發(fā)源和相應(yīng)的膜厚監(jiān)控系統(tǒng)、ITO 玻璃基板固定裝置及金屬掩膜裝置(Mask)。有機(jī)材料的蒸汽壓比較高，蒸發(fā)溫度在100-500℃之間，就其特征：

　　1、蒸汽壓高(150-450℃)。

　　2、高溫條件下易分解，易變性。

　　3、泡沫狀態(tài)下導(dǎo)熱性不好。

　　在蒸發(fā)沉積有機(jī)材料薄膜時(shí)，蒸發(fā)輸率控制在3-5?/秒，這樣在Φ60 ㎜的基板范圍內(nèi)薄膜的均勻度可達(dá)350 ?±25 ?。使用導(dǎo)熱性好的加熱舟，使蒸發(fā)速度容易控制。常用的加熱舟有金屬鉬和鉭加熱舟，為了使加熱更均勻，再加上帶蓋的石英舟，它使加熱得到緩沖。在進(jìn)行有機(jī)材料薄膜蒸鍍時(shí),一般基板保持室溫,防止溫度升高破壞有機(jī)材料薄膜,蒸發(fā)速度不宜過(guò)快或過(guò)慢,使膜厚度不均勻,過(guò)厚。蒸發(fā)多種材料分別在幾個(gè)真空室中進(jìn)行，防止交叉污染。在彩色OLED 器件制作中，含有摻雜劑的有機(jī)材料薄膜的形成，要采取摻雜劑材料與基質(zhì)材料共蒸發(fā)的工藝，一般摻雜劑材料控制在0.5~2%(占基質(zhì)材料的摩爾數(shù))，要求在控制基質(zhì)材料和蒸發(fā)量的同時(shí)，嚴(yán)格控制摻雜劑材料在基質(zhì)中的含量。