大功率白光LED封裝技術(shù)與發(fā)展趨勢(圖)
上傳人:劉勝 上傳時間: 2008-05-14 瀏覽次數(shù): 8469 |
一、前言
大功率LED封裝由于結(jié)構(gòu)和工藝復(fù)雜,并直接影響到LED的使用性能和壽命,一直是近年來的研究熱點,特別是大功率白光LED封裝更是研究熱點中的熱點。LED封裝的功能主要包括:1.機械保護(hù),以提高可靠性;2.加強散熱,以降低芯片結(jié)溫,提高LED性能;3.光學(xué)控制,提高出光效率,優(yōu)化光束分布;4.供電管理,包括交流/直流轉(zhuǎn)變,以及電源控制等。
LED封裝方法、材料、結(jié)構(gòu)和工藝的選擇主要由芯片結(jié)構(gòu)、光電/機械特性、具體應(yīng)用和成本等因素決定。經(jīng)過40多年的發(fā)展,LED封裝先后經(jīng)歷了支架式(Lamp LED)、貼片式(SMD LED)、功率型LED(Power LED)等發(fā)展階段。隨著芯片功率的增大,特別是固態(tài)照明技術(shù)發(fā)展的需求,對LED封裝的光學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)和機械結(jié)構(gòu)等提出了新的、更高的要求。為了有效地降低封裝熱阻,提高出光效率,必須采用全新的技術(shù)思路來進(jìn)行封裝設(shè)計。
二、大功率LED封裝關(guān)鍵技術(shù)
大功率LED封裝主要涉及光、熱、電、結(jié)構(gòu)與工藝等方面,如圖1所示。這些因素彼此既相互獨立,又相互影響。其中,光是LED封裝的目的,熱是關(guān)鍵,電、結(jié)構(gòu)與工藝是手段,而性能是封裝水平的具體體現(xiàn)。從工藝兼容性及降低生產(chǎn)成本而言,LED封裝設(shè)計應(yīng)與芯片設(shè)計同時進(jìn)行,即芯片設(shè)計時就應(yīng)該考慮到封裝結(jié)構(gòu)和工藝。否則,等芯片制造完成后,可能由于封裝的需要對芯片結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)整,從而延長了產(chǎn)品研發(fā)周期和工藝成本,有時甚至不可能。

圖1 大功率白光LED封裝技術(shù)
具體而言,大功率LED封裝的關(guān)鍵技術(shù)包括:
(一)低熱阻封裝工藝
對于現(xiàn)有的LED光效水平而言,由于輸入電能的80%左右轉(zhuǎn)變成為熱量,且LED芯片面積小,因此,芯片散熱是LED封裝必須解決的關(guān)鍵問題。主要包括芯片布置、封裝材料選擇(基板材料、熱界面材料)與工藝、熱沉設(shè)計等。
LED封裝熱阻主要包括材料(散熱基板和熱沉結(jié)構(gòu))內(nèi)部熱阻和界面熱阻。散熱基板的作用就是吸收芯片產(chǎn)生的熱量,并傳導(dǎo)到熱沉上,實現(xiàn)與外界的熱交換。常用的散熱基板材料包括硅、金屬(如鋁,銅)、陶瓷(如Al2O3,AlN,SiC)和復(fù)合材料等。如Nichia公司的第三代LED采用CuW做襯底,將1mm芯片倒裝在CuW襯底上,降低了封裝熱阻,提高了發(fā)光功率和效率;Lamina Ceramics公司則研制了低溫共燒陶瓷金屬基板,如圖2(a),并開發(fā)了相應(yīng)的LED封裝技術(shù)。該技術(shù)首先制備出適于共晶焊的大功率LED芯片和相應(yīng)的陶瓷基板,然后將LED芯片與基板直接焊接在一起。由于該基板上集成了共晶焊層、靜電保護(hù)電路、驅(qū)動電路及控制補償電路,不僅結(jié)構(gòu)簡單,而且由于材料熱導(dǎo)率高,熱界面少,大大提高了散熱性能,為大功率LED陣列封裝提出了解決方案。德國Curmilk公司研制的高導(dǎo)熱性覆銅陶瓷板,由陶瓷基板(AlN或Al2O3)和導(dǎo)電層(Cu)在高溫高壓下燒結(jié)而成,沒有使用黏結(jié)劑,因此導(dǎo)熱性能好、強度高、絕緣性強,如圖2(b)所示。其中氮化鋁(AlN)的熱導(dǎo)率為160W/mk,熱膨脹系數(shù)為4.0×10-6/℃(與硅的熱膨脹系數(shù)3.2×10-6/℃相當(dāng)),從而降低了封裝熱應(yīng)力。

圖2(a)低溫共燒陶瓷金屬基板

圖2(b)覆銅陶瓷基板截面示意圖
研究表明,封裝界面對熱阻影響也很大,如果不能正確處理界面,就難以獲得良好的散熱效果。例如,室溫下接觸良好的界面在高溫下可能存在界面間隙,基板的翹曲也可能會影響鍵合和局部的散熱。改善LED封裝的關(guān)鍵在于減少界面和界面接觸熱阻,增強散熱。因此,芯片和散熱基板間的熱界面材料(TIM)選擇十分重要。LED封裝常用的TIM為導(dǎo)電膠和導(dǎo)熱膠,由于熱導(dǎo)率較低,一般為0.5-2.5W/mK,致使界面熱阻很高。而采用低溫或共晶焊料、焊膏或者內(nèi)摻納米顆粒的導(dǎo)電膠作為熱界面材料,可大大降低界面熱阻。
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