以硅基材料做為LED封裝基板技術，近幾年逐漸從半導體業界被引進到LED業界，而LED基板采用硅材料最大優勢便是其優異的導熱能力。

　　因應LED照明市場需求而發展的功率型LED封裝，使用電流不斷增加，由150 mA、350 mA，到現在700 mA甚至1A，使用在1平方毫米的LED晶片上，由于電流在LED晶片上轉換成光的效率只有30 %，有70 %電流會轉成熱，如果沒有良好導熱方法將熱傳導出LED晶片，LED晶片便會燒損，造成快速光衰。

　　解決LED封裝熱導，必須從結構上采低熱阻設計，同時在尺寸方面具備有輕巧的功能，以符合現代燈具需求。 為因應LED封裝需求，傳統LED封裝必須有革命性的改變。 近年來發展出了1種最具代表性的封裝(如圖1 所示)，LED產生的熱可由基板直接導出，同時具備有輕小的功能。

　　圖1　輕巧及導熱佳的LED封裝。

　　熱阻計算的理論公式為Rth = T / KA，其中各參數的定義如下：

　　Rth：熱阻，單位是K/W，也就是每瓦(W) 電流通入LED晶片時，所產生的溫度值;

　　T：導熱基板的厚度(um);

　　K：導熱基板的導熱系數(W/mK);

　　A：導熱面積(mm x mm)。

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　　所以，根據熱阻計算理論公式，在固定基板厚度及導熱面積下，如何選擇可以具有高導熱系數，同時又可量產的基板材料，是解決LED導熱的關鍵。 以目前工業技術或量產成熟度來看，由于氧化鋁(Al2O3)及硅(Si)二者已同時大量應用在電子元件基板，會成為業界最佳LED基板材料的選擇。

　　氧化鋁目前被大量應用在電阻、電容、混膜電路、汽車電子以及高頻元件電路板使用，而硅則應用在半導體元件制造;將氧化鋁應用在LED封裝是因為氧化鋁材料高絕緣性及可制作輕小元件，然而，因為氧化鋁材料低導熱系數，在氧化鋁基板厚度是400um時，所造成的熱阻是5.2 K/W，當大電流(700 mA)通入在LED晶片上，瞬間溫升為13℃，將無法把熱立即傳導出LED晶片，這時LED晶片會產生快速光衰，因此，熱阻偏高是使用氧化鋁做為LED基板的難題。

　　硅材料也被大量應用在半導體制程及相關封裝，使用硅制造相關設備及材料已經非常成熟，因此，若將硅制作成LED封裝的基板可以容易大量生產，同時硅具有高信賴度及低熱導系數(140 W/mK)，當應用在LED封裝時，以理論值計算，硅基板所造成的熱阻只有0.66 K/W，是氧化鋁基板5.2 K/W的0.13倍，如果以LED元件每減少1 K/W熱阻則使用壽命則增長1,000小時計算，使用硅基板會比使用氧化鋁基板增加4,600小時使用壽命。

　　以硅為導熱基板的LED封裝，目前已實際應用于照明光源設計方面，以采鈺科技硅材料為導熱基板的LED封裝產品為例，在3.37平方毫米的小尺寸面積內，以硅材料為導熱基板進行封裝，具快速導熱性能，可大幅解決因使用氧化鋁造成的高熱阻問題。

　　圖2　理論公式及實際量測的熱阻值。

　　將此LED封裝產品以精密量測熱阻設備(T3Ster)進行實際量測，可以清楚看到每層結構的熱阻值(如圖2 所示)。 由圖2 的分析可以得知，LED的GaN及晶片基板造成熱阻分別是0.5 K/W及2.6 K/W，做為LED晶片固晶材料的銀層所造成的熱阻為1.3 K/W ，而硅基板所造成的熱阻為0.6 K/W。

　　由理論公式及實際量測值來看，二者結果是非常接近的，所以使用硅基板為導熱材料應用在LED封裝是較佳選擇，因為硅基板可成熟量產及解決LED封裝的導熱難題。

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