MOCVD法制備磷摻雜p型ZnO薄膜
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上傳人：周新翠,葉志鎮(zhèn)等 上傳時間： 2011-09-30 瀏覽次數(shù)： 77 |
| 作者 | 周新翠,葉志鎮(zhèn),陳福剛,徐偉中,繆燕,黃靖云,呂建國,朱麗萍,趙炳輝 |
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| 單位 | 浙江大學硅材料國家重點實驗室 |
| 分類號 | TN304 |
| 發(fā)表刊物 | 半導(dǎo)體學報 |
| 發(fā)布時間 | 2006年01期 |
引言
近年來,由于ZnO在光電領(lǐng)域的巨大發(fā)展?jié)摿Χ艿搅巳藗兊膹V泛關(guān)注.這是由于ZnO作為一種新型的Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體具有許多優(yōu)點,如室溫禁帶寬度大(3.37eV),激子束縛能(60meV)和激子增益(300cm-1)高,是實現(xiàn)紫外光電器件、發(fā)光二極管以及激光器最有潛力的半導(dǎo)體材料之一……
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