PLD方法制備的ZnO納米柱結構及光學特性
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上傳人：孫開通,胡禮中 上傳時間： 2011-10-18 瀏覽次數： 79 |
| 作者 | 孫開通,胡禮中,于東麒,李嬌,張賀秋,付強,陳希,王彬 |
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| 單位 | 大連理工大學物理與光電工程學院; |
| 分類號 | O484.1 |
| 發表刊物 | 發光學報 |
| 發布時間 | 2010年02期 |
引言
ZnO是一種重要的Ⅱ-Ⅳ族寬禁帶半導體材料,室溫下帶隙寬度Eg=3.37eV。與GaN具有相近的晶格常數和禁帶寬度,但和GaN相比,ZnO具有更高的熔點、激子束縛能(60meV)[1]、受激發射閾值低[2]及原材料豐富和無毒無害等特點。近年來,ZnO材料在紫外和藍色發光領域已經成為人們關注……
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