Si襯底GaN基藍光LED老化性能
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上傳人：肖友鵬,莫春蘭,邱沖,江風益 上傳時間： 2011-10-25 瀏覽次數： 235 |
| 作者 | 肖友鵬,莫春蘭,邱沖,江風益 |
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| 單位 | 南昌大學教育部發光材料與器件工程研究中心,晶能光電(江西)有限公司 |
| 分類號 | O482.31 |
| 發表刊物 | 發光學報 |
| 發布時間 | 2010年03期 |
引言
近幾年來,InGaN/GaN發光二極管(LEDs)的研發與生產取得了飛速發展。文獻中已經報道了藍光LEDs的光功率達到643mW(440nm/3.24V/350mA/WPE:57%),白光的光通量達到155lm(350mA/3.24V/136lm/W/5000K)[1]。這表明,GaN基藍光LEDs已經具備了進入通用照明所需的發光效率[2]。但是……
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