Si襯底GaN基LED外延薄膜轉(zhuǎn)移至金屬基板的應(yīng)力變化
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上傳人：熊貽婧,張萌,熊傳兵,肖宗湖,王光緒,汪延明,江風(fēng)益 上傳時(shí)間： 2011-10-25 瀏覽次數(shù)： 154 |
| 作者 | 熊貽婧,張萌,熊傳兵,肖宗湖,王光緒,汪延明,江風(fēng)益 |
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| 單位 | 南昌大學(xué)教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心 |
| 分類號(hào) | TN304.055 |
| 發(fā)表刊物 | 發(fā)光學(xué)報(bào) |
| 發(fā)布時(shí)間 | 2010年04期 |
引言
GaN MQW LED已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于顯示器件及照明光源,成為產(chǎn)業(yè)界和研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一[1～4]。目前商品化的GaN LED器件其外延襯底有三種:藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底[5]。藍(lán)寶石襯底上外延的GaN具有同側(cè)結(jié)構(gòu)和垂直結(jié)構(gòu)兩種器件結(jié)構(gòu)[6,7];碳化硅襯底上外延的GaN有在外延襯底上……
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