自從1993年Nakamura發明高亮GaN藍光LED以來，LED技術及應用突飛猛進。究其原因有兩個方面：1)全系列RGB LED產生，其應用面大大拓寬，2)白光LED產生，讓追求低碳時代的人們期望LED盡快成為智能化的第四代固態照明光源。雖然LED的發光效率已經超過日光燈和白熾燈，但商業化LED發光效率還是低于鈉燈(150lm/W)。那么，哪些因素影響LED的發光效率呢?就白光LED來說，其封裝成品發光效率是由內量子效率, 電注入效率, 提取效率和封裝效率的乘積決定的。

　　其中內量子效率主要取決于PN結外延材料的品質如雜質、晶格缺陷和量子阱結構, 目前內量子效率達60%[1]。電注效率是由P型電極和N型電極間的半導體材料特性決定的，如歐姆接觸電阻，半導體層的體電阻(電子的遷移率)。對460nm藍光(2.7eV)LED，導通電壓3.2-3.6V, 所以目前最好的電注入效率84%。但AlGaInP LEDs的大于90%。提取效率由半導體材料間及其出射介質間的不同折射率引起界面上的反射，導致在PN發射的光不能完全逸出LED芯片。提取效率目前最大達75%[2]。封裝效率由封裝材料熒光粉的轉換效率和光學透鏡等決定的，封裝效率為60%[3]。因此目前白光LED的總效率可達23%。就LED芯片制造技術來說，它只直接影響著電注入效率和提取效率，因為內量子效率.和封裝效率分別直接與MOCVD技術和封裝技術有關，因此本文著重介紹相關于電效率和提取效率的LED芯片技術及其發展趨勢。

　　1.改善電注入效率

　　2.改善提取效率

　　3.技術發展趨勢