1 LED芯片的制造步驟

　　LED芯片的制造過程可概分為晶圓處理工序(Wafer Fabrication)、晶圓針測工序(Wafer Probe)、構裝工序(Packaging)、測試工序(Initial Test andFinal Test)等幾個步驟。其中晶圓處理工序和晶圓針測工序為前段(Front End)工序，而構裝工序、測試工序為后段(Back End)工序。

　　1.1 晶圓處理工序

　　本工序的主要工作是在晶圓上制作電路及電子元件(如晶體管、電容、邏輯開關等)，其處理程序通常與產品種類和所使用的技術有關，但一般基本步驟是先將晶圓適當清洗，再在其表面進行氧化及化學氣相沉積，然后進行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反復步驟，最終在晶圓上完成數層電路及元件加工與制作。

　　1.2 晶圓針測工序

　　經過上道工序后，晶圓上就形成了一個個的小格，即晶粒，一般情況下，為便于測試，提高效率，同一片晶圓上制作同一品種、規格的產品;但也可根據需要制作幾種不同品種、規格的產品。在用針測(Probe)儀對每個晶粒檢測其電氣特性，并將不合格的晶粒標上記號后，將晶圓切開，分割成一顆顆單獨的晶粒，再按其電氣特性分類，裝入不同的托盤中，不合格的晶粒則舍棄。

　　1.3 構裝工序

　　就是將單個的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蝕刻出的一些引接線端與基座底部伸出的插腳連接，以作為與外界電路板連接之用，最后蓋上塑膠蓋板，用膠水封死。其目的是用以保護晶粒避免受到機械刮傷或高溫破壞。到此才算制成了一塊集成電路芯片(即我們在電腦里可以看到的那些黑色或褐色，兩邊或四邊帶有許多插腳或引線的矩形小塊)。

　　1.4 測試工序

　　芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。經測試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級。而特殊測試則是根據客戶特殊需求的技術參數，從相近參數規格、品種中拿出部分芯片，做有針對性的專門測試，看是否能滿足客戶的特殊需求，以決定是否須為客戶設計專用芯片。經一般測試合格的產品貼上規格、型號及出廠日期等標識的標簽并加以包裝后即可出廠。而未通過測試的芯片則視其達到的參數情況定作降級品或廢品。

　　2 LED芯片的制造工藝

　　LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。

　　LED芯片的制造工藝如下圖：

　　3 相關的濕法設備

　　在LED外延及芯片制造領域，濕法設備占據約30%以上的工藝，隨著工藝技術的不斷發展，濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備，如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。四十五所緊密跟蹤并深入研究LED生產工藝，現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。

　　四十五所能向LED外延及芯片制造領域供應的濕法設備如下圖：