日前，晶元光電聯(lián)合臺灣儀科中心，以及中央大學(xué)薄膜技術(shù)中心，將先進(jìn)材料石墨烯應(yīng)用于UV-LED的制造技術(shù)，預(yù)期可提升UV-LED制造技術(shù)水平，達(dá)到與美、日大廠并駕齊驅(qū)的境界，推估年產(chǎn)值可逾3.6億元新臺幣(折合人民幣約7307萬元)。

　　UV-LED可應(yīng)用于農(nóng)業(yè)、紙鈔識別、樹脂硬化、特殊生醫(yī)等領(lǐng)域，市場前景看好，但是目前高功率UV-LED均使用氧化銦錫(ITO)做為透明導(dǎo)電膜，會發(fā)生散熱不良與電流分布不均等問題，影響其發(fā)光效率。

　　儀科中心聯(lián)合晶電及中央大學(xué)，取得科技部中部科學(xué)工業(yè)園區(qū)管理局高科技設(shè)備前瞻技術(shù)發(fā)展計劃支持，共同執(zhí)行“開發(fā)電漿輔助高溫原子層沉積系統(tǒng)應(yīng)用于UV-LED”計劃，以更適合LED使用的透明電極材料石墨烯(graphene)取代氧化銦錫，希望能夠克服UV-LED發(fā)光效率降低的問題。

　　此研究的關(guān)鍵技術(shù)有二，一是要讓低溫制程 (約600℃)的石墨烯可以直接在白金薄膜上生成，以制作電極。中央大學(xué)薄膜技術(shù)中心李正中教授、郭倩丞助理教授團(tuán)隊負(fù)責(zé)開發(fā)石墨烯低溫制程，儀科中心則負(fù)責(zé)讓石墨烯直接在白金薄膜上生成 (此即“電漿輔助高溫原子層沉積系統(tǒng)”)。

　　第二項關(guān)鍵技術(shù)是讓此電極可與LED的發(fā)光層完美結(jié)合，這部分由儀科中心和晶元光電共同研發(fā)。

　　這項合作初期將于晶光廠內(nèi)進(jìn)行測試與驗證，待技術(shù)成熟后，將委托儀科中心與中央大學(xué)薄膜技術(shù)中心技術(shù)轉(zhuǎn)移于設(shè)備廠商，進(jìn)行相關(guān)設(shè)備制造。