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諾獎授予LED藍光技術 相關稀有金屬材料或遭熱捧

2014-10-10 作者: 來源:泛亞有色金屬交易所 瀏覽量: 網友評論: 0

摘要: 10月7日瑞典皇家科學院將2014年諾貝爾物理學獎授予了因發明了“高亮度藍色發光二極管(LED)”的日本科學家赤崎勇和天野浩以及美籍日裔科學家中村修二,以表彰他們在發現新型高效、環境友好型光源方面所作出的貢獻。

  10月7日瑞典皇家科學院將2014年諾貝爾物理學獎授予了因發明了“高亮度藍色發光二極管(LED)”的日本科學家赤崎勇和天野浩以及美籍日裔科學家中村修二,以表彰他們在發現新型高效、環境友好型光源方面所作出的貢獻。

  從半導體中產生高亮度藍色光的方法是“光技術領域一場根本性的變革”。藍色LED光一直是技術難題,在1989年才首次研發成功,而紅色和綠色的LED光30年前就已出現。藍光LED的加入使白光可以以新的方式被創造出來,這樣我們就擁有了更加持久和更加高效的LED燈光代替原來的光源。

  瑞典皇家科學院在宣布今年獲獎名單時說:“LED燈的出現,使得我們在傳統光源之外,找到了更持久、更節能的光源。這項發明開啟了一場照明革命,白熾燈泡照亮了20世紀,而21世紀將被LED燈照亮。”與白熾燈、熒光燈相比,LED能耗更低,壽命更長,而且可實現智能化操控,是節能環保的“綠色照明”。因此進入市場后,呈現爆發式增長。國家半導體照明應用系統工程技術研究中心經理楊潔翔介紹,我國2010年的LED產值是700多億元;而到了2013年,全年產值猛增到5000多億元。家庭、辦公、道路等各種場所的照明以及絢爛的景觀燈光,這些市場“主力軍”如今都是LED.

  稀有金屬鎵、銦等材料對LED照明技術的發展可謂“功不可沒”。目前,LED光源的核心材料主要是稀有金屬鎵(Ga)、銦(In)與砷(AS)、磷(P)的化合物,并且基于寬禁帶半導體材料氮化鎵(GaN)和銦氮化稼(InGaN)的也是最具有商業應用價值的LED發光材料。隨著LED光源越來越廣泛應用,大量稀有金屬化合物制成的發光半導體材料也將迎來更大的需求。據統計,2013年我國芯片環節產值達到105億元,增幅31.5%;產量增幅更是高達61%,其中GaN芯片的產量占比達65%,而以InGaAlP芯片為主的四元系芯片的產量占比為25%,GaAs等其他芯片占比為10%左右。

  據專家預測,2014年我國LED行業將延續2013年上升勢頭,迎來新一輪的增長,預計增長率將達到40%左右。全球LED照明的快速發展,必將會帶動鎵和銦等稀有半導體金屬需求的快速增長,也會帶動越來越多的企業和個人關注銦和鎵等稀有金屬。作為全球銦、鎵等稀有金屬交易量和庫存量最大的現貨交易所,泛亞有色金屬交易所在稀有金屬行業內的優勢地位也會逐漸凸顯。

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